[发明专利]一种OLED器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210119910.6 | 申请日： | 2022-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN114464756A | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 曹辰辉;税新凤;庞玉东;魏斌 | 申请（专利权）人： | 安徽秀朗新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 | 代理人： | 王月松 |
| 地址： | 239500 安徽省滁州*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 oled 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种OLED器件，其特征在于，包括：
由下到上依次排布的基板、金属反射电极、有机层、金属半透明电极和DBR；
其中，所述金属反射电极、所述有机层和所述金属半透明电极构成第一微腔；所述金属半透明电极与所述DBR构成第二微腔。
2.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述金属反射电极为Al或Ag。
3.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述金属反射电极的厚度大于100nm。
4.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述有机层包括：空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、空穴阻挡层和电子阻挡层。
5.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述金属半透明电极为Al或Ag。
6.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述金属半透明电极的厚度不超过10nm。
7.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述DBR的材料为氧化钼和硫化锌。
8.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述DBR中每一层材料的厚度为10-40nm。
9.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述DBR中的两种材料的折射率相差大于2。
10.一种OLED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
制备基板；
依次将金属反射电极、有机层、金属半透明电极和DBR蒸镀至所述基板上；其中，所述金属反射电极、所述有机层和所述金属半透明电极构成第一微腔；所述金属半透明电极与所述DBR构成第二微腔。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
