[发明专利]芯片筛选方法、系统、计算机设备及存储介质在审
申请号: | 202210103230.5 | 申请日: | 2022-01-27 |
公开(公告)号: | CN114628267A | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 熊俊剑;高冰玲 | 申请(专利权)人: | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67;G06T7/00 |
代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 杨明莉 |
地址: | 312000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 筛选 方法 系统 计算机 设备 存储 介质 | ||
本发明公开了一种芯片筛选方法、系统、计算机设备及存储介质,芯片筛选方法包括:获取晶圆的扫描缺陷图,扫描缺陷图为以预设扫描方式扫描晶圆上至少一个芯片获取,扫描缺陷图包括测试结构及与测试结构相连的伪不良芯片;获取具有单个图示重复单元的标准影像图;根据扫描缺陷图采用预设图示重复单元菜单程序,生成至少一个光罩影像图,光罩影像图与图示重复单元一一对应,图示重复单元内具有至少一个芯片;根据标准影像图与各光罩影像图的比较结果,判断伪不良芯片是否为合格芯片,有效过滤切割道测试结构,避免无缺陷的伪不良芯片被误抓,极大提高产品出货良率。
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种芯片筛选方法、系统、计算机设备及存储介质。
背景技术
在现有的半导体制造技术中,在完成半导体晶圆的制备后,需要对芯片进行切割处理,将半导体晶圆(Wafer)分为多个芯片(Die),其中,切割处理在切割道区域中进行。
将晶圆切割(Wafer Saw)成多个芯片,需要选取需要扫描的区域进行扫描,以抓取切割道崩边缺陷(defect)。在机台扫描镜头下,切割道崩边显示为黑色缺陷,当有黑色崩边触碰到芯片密封环(Die seal ring)时会被当成黑色缺陷抓取出来。此外,在切割道上设置有用于进行晶圆验收测试的黑色测试结构(Test Key)且与测试结构相对两侧芯片相连时,测试结构同样会被当成崩边误抓,导致合格芯片被抓取。
传统做法是通过设置固定尺寸,以过滤掉测试结构来降低被当成崩边误抓的概率,但是会存在同样固定尺寸大小的崩边会被过滤到的情况,导致存在崩边的芯片未被抓取,降低产品出货良率。
发明内容
基于此,有必要针对上述背景技术中的问题,提供一种芯片筛选方法、系统、计算机设备及存储介质,能够将与测试结构相连的芯片准确筛选出,同时还可以准确识别出除与测试结构相连的其他具有缺陷的芯片,提高产品出货良率。
为解决上述技术问题,本申请的第一方面提出一种芯片筛选方法,包括:
获取晶圆的扫描缺陷图,所述扫描缺陷图为以预设扫描方式扫描所述晶圆上至少一个芯片获取,所述扫描缺陷图包括测试结构及与所述测试结构相连的伪不良芯片;
获取具有单个图示重复单元的标准影像图;
根据所述扫描缺陷图采用预设图示重复单元菜单程序,生成至少一个光罩影像图,所述光罩影像图与所述图示重复单元一一对应,所述图示重复单元内具有至少一个芯片;
根据所述标准影像图与各所述光罩影像图的比较结果,判断所述伪不良芯片是否为合格芯片。
于上述实施例中提供的芯片筛选方法中,通过获取晶圆的扫描缺陷图,扫描缺陷图为以预设扫描方式扫描晶圆上至少一个芯片获取,扫描缺陷图包括与测试结构相连的伪不良芯片,以将与测试结构连接的伪不良芯片和具有缺陷的芯片共同抓取出来;获取具有单个图示重复单元的标准影像图;根据扫描缺陷图采用预设图示重复单元菜单程序,生成至少一个光罩影像图,光罩影像图与图示重复单元一一对应,图示重复单元内具有至少一个芯片;根据标准影像图与各光罩影像图的比较结果,判断所述伪不良芯片是否为合格芯片,有效过滤切割道测试结构,避免无缺陷的伪不良芯片被误抓,极大提高产品出货良率。
在其中一个实施例中,所述根据所述标准影像图与各所述光罩影像图的比较结果,判断所述伪不良芯片是否为合格芯片,包括:
判断所述标准影像图与各所述光罩影像图是否相同;
若相同,则将所述图示重复单元内所述伪不良芯片及除所述伪不良芯片以外的其余芯片均确定为所述合格芯片;
反之,则确定所述图示重复单元内具有缺陷,并将具有所述缺陷的芯片确定为不良芯片。
在其中一个实施例中,还包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造