[发明专利]显示面板及显示面板的制备方法在审
申请号: | 202210072145.7 | 申请日: | 2022-01-21 |
公开(公告)号: | CN114464629A | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
发明(设计)人: | 龚吉祥;阳志林 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/84 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 苏蕾 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 制备 方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括显示区域以及设置在所述显示区域一侧的绑定区域,所述显示面板包括:
衬底;
屏蔽层,所述屏蔽层设置在所述衬底上;
设置在所述屏蔽层之上的薄膜晶体管器件层,所述薄膜晶体管器件层包括设置在所述显示区域内的第一薄膜晶体管,以及与所述第一薄膜晶体管电连接的第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管的第一源/漏极通过第一过孔与第一有源层电连接,所述第二薄膜晶体管的第二源/漏极通过第二过孔与第二有源层电连接;
其中,所述显示面板还包括位于所述绑定区域内的第三过孔,所述第三过孔贯穿所述第二源/漏极至所述衬底之间的膜层,所述第一过孔、所述第二过孔以及第三过孔均设置为阶梯孔,且所述第一过孔、所述第三过孔的顶部至所述阶梯孔对应的第一台阶平台之间的距离相同。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第三过孔包括第一台阶平台和第二台阶平台,所述第一台阶平台位于所述第二台阶平台上方,且从所述第一台阶到所述第二台阶平台,所述第三过孔的孔径逐渐减小。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第三过孔的顶部到所述第一台阶平台之间的距离小于所述第一台阶平台到所述第二台阶平台之间的距离,且所述第一台阶平台到所述第二台阶平台之间的距离大于所述第二台阶平台到所述第三过孔的底部之间的距离。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一台阶平台与所述第二薄膜晶体管的第二有源层同层设置。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括金属层以及第四过孔,所述金属层设置在所述第二薄膜晶体管与所述第三过孔之间,且所述金属层通过所述第四过孔与所述屏蔽层电连接。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第四过孔为阶梯孔,且所述第一过孔、所述第二过孔、所述第三过孔以及所述第四过孔通过同一蚀刻工艺制备形成。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第四过孔对应的所述阶梯孔的台阶数与所述第三过孔的台阶数相同,且所述第四过孔内的台阶平台与所述第三过孔内的台阶平台位于同一高度。
8.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述金属层、所述第一源/漏极、所述第二源/漏极位于同一膜层上。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一过孔、所述第二过孔以及所述第三过孔对应的所述阶梯孔中至少有一个台阶平台位于同一膜层上。
10.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第三过孔的孔径大于所述第一过孔以及所述第二过孔的孔径。
11.根据权利要求1-10中任一项所述的显示面板,其特征在于,所述第一过孔、所述第二过孔、所述第三过孔以及所述第四过孔的开口表面到所述阶梯孔的第一台阶平台之间的均距离相同。
12.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,所述第一过孔、所述第二过孔、所述第三过孔以及所述第四过孔的开口表面到所述阶梯孔的第一台阶平台之间的均距离为
13.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一有源层为多晶硅氧化物半导体,所述第二有源层为铟镓锌氧化物半导体。
14.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供一衬底,在所述衬底上制备一屏蔽层;
在所述屏蔽层上制备薄膜晶体管器件层,所述薄膜晶体管器件层包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管;
在所述薄膜晶体管器件层上制备一光阻,对所述光阻光罩处理并在与所述薄膜晶体管的源/漏极对应区域内形成不同深度开口,在所述屏蔽层以及绑定区域对应位置处分别形成第四开孔和第三开孔;
对所述薄膜晶体管器件层蚀刻,在所述第三开孔和所述第四开孔对应位置处蚀刻形成第三过孔和第四过孔以及对应的第一台阶平台;
对所述源/漏极对应区域内的不同深度开口进行蚀刻,并在对应的开口处同时对所述薄膜晶体管器件层蚀刻,形成第一过孔、第五过孔,并蚀刻至各过孔对应的第一台阶平台高度处,并将所述第三过孔和所述第四过孔蚀刻至第二台阶平台位置处;
对光阻以及各个过孔中对应的膜层进行蚀刻,形成第二过孔,并使所述第一过孔、所述第二过孔以及所述第五过孔蚀刻至有源层表面,所述第三过孔蚀刻至所述衬底表面,所述第四过孔蚀刻至所述屏蔽层表面;
在对应的各过孔内制备金属层,并在所述金属层上制备平坦化层,且使所述平坦化层填充所述第三过孔;
在所述平坦化层上制备像素电极并封装,完成所述显示面板的制备。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的