[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

穿过半导体衬底的第一表面对区域进行掺杂，其中，所述区域至少沿着横向方向延伸；

在所述半导体衬底内形成多个掺杂结构，其中，所述多个掺杂结构中的每一个都沿着垂直方向延伸并且与掺杂区域接触；

在所述第一表面之上形成多个晶体管，其中，所述晶体管中的每一个包括一个或多个源极/漏极结构，该一个或多个源极/漏极结构通过所述掺杂结构中的相应一个电耦合到所述掺杂区域；

在所述第一表面之上形成多个互连结构，其中，所述互连结构中的每一个电耦合到所述晶体管中的至少一个；以及

基于通过所述半导体衬底的第二表面检测在所述掺杂区域上存在的信号，测试所述互连结构和所述晶体管之间的电连接，所述第二表面与所述第一表面相反。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在掺杂所述区域之前，在所述半导体衬底内形成第一电介质层；

在掺杂所述区域之后，在所述半导体衬底内形成第二电介质层；以及

对所述第二电介质层进行图案化以形成所述掺杂结构。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，

形成第一电介质层的步骤包括在所述半导体衬底中将氧原子注入到距所述表面的第一深度处；

掺杂所述区域的步骤包括在所述半导体衬底中将半导体杂质注入到距所述表面的第二深度处；以及

形成第二电介质层的步骤包括在所述半导体衬底中将氧原子注入到距所述表面的第三深度处，

其中，所述第一深度大于所述第二深度，并且所述第二深度大于所述第三深度。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成多个晶体管的步骤还包括：

在所述第一表面之上交替地堆叠多个半导体沟道层和多个半导体牺牲层；

基于所述半导体沟道层来外延生长每个晶体管的所述一个或多个源极/漏极结构；以及

基于去除所述半导体牺牲层，为所述晶体管形成多个金属栅极结构，其中，所述金属栅极结构中的每一个环绕所述半导体沟道层的至少一些部分。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，测试所述互连结构和所述晶体管之间的电连接的步骤还包括：通过所述互连结构中的最顶部的互连结构来施加电信号，并且其中，所检测的在所述掺杂区域上存在的信号包括光子或二次电子中的至少一者。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括：

将发射显微镜EMMI、激光扫描显微镜或电子束辐射EBI显微镜中的至少一个放置在所述半导体衬底的第二表面旁边，以检测在所述掺杂区域上存在的信号。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

分别用金属结构和多个金属接触件来代替所述掺杂区域和所述掺杂结构。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，代替所述掺杂区域和所述掺杂结构的步骤还包括：

通过所述第二表面来减薄所述半导体衬底；以及

形成通过所述金属接触件电耦合到所述多个晶体管中的一个或多个的所述金属结构。

9.一种制造半导体器件的方法，包括：

穿过半导体衬底的第一表面形成掺杂层；

在所述半导体衬底的第一表面之上形成多个晶体管，其中，所述多个晶体管可操作地耦合到所述掺杂层；

通过在所述第一表面之上形成多个第一互连结构将所述晶体管彼此耦合；

通过所述第一互连结构施加测试信号；以及

通过从所述半导体衬底的第二表面监测在所述掺杂层上存在的信号来检查所述晶体管和所述第一互连结构之间的电连接，所述第二表面与所述第一表面相反。

10.一种用于测试半导体器件的系统，包括：

半导体器件，包括：

半导体衬底，具有在所述衬底的厚度内的掩埋掺杂层；

多个栅极全环绕GAA晶体管，在所述半导体衬底的第一侧，其中，所述多个晶体管可操作地耦合到所述掩埋掺杂层；以及

多个互连结构，在所述半导体衬底的第一侧的所述多个GAA晶体管之间；

测试设备，在所述半导体衬底的第二侧，所述第二侧与所述第一侧相反；所述测试设备被配置为测试所述GAA晶体管之间的所述多个互连结构中的电连接。