[发明专利]半导体装置和制造该半导体装置的方法

说明书

本文可提供一种半导体装置和制造该半导体装置的方法。该半导体装置可包括：虚设层叠体，其包括交替地层叠在接触区域中的多个第一材料层和多个第二材料层；至少一个接触插塞，其形成为垂直地穿过虚设层叠体的部分或全部；以及电容器，其包括第一电极体和第二电极体，该第一电极体和该第二电极体形成为围绕至少一个接触插塞并且垂直地穿过虚设层叠体的部分或全部。

技术领域

本公开的各种实施方式总体上涉及电子装置，更具体地，涉及一种半导体装置和制造该半导体装置的方法。

背景技术

非易失性存储器装置是即使当供电中断时也保留所存储的数据的存储器装置。最近，随着存储器单元以单层形成在基板上的二维(2D)非易失性存储器装置达到其物理标度极限，已提出了包括垂直地层叠在基板上的存储器单元的三维(3D)非易失性存储器装置。

这种3D非易失性存储器装置可包括彼此交替地层叠的层间绝缘层和栅电极以及穿过层间绝缘层和栅电极的沟道层，并且存储器单元沿着沟道层层叠。为了改进具有3D结构的这种非易失性存储器装置的操作可靠性，已开发了各种结构和制造方法。

发明内容

在本公开的实施方式中，一种半导体装置可包括：虚设层叠体，其包括在接触区域中交替地层叠的多个第一材料层和多个第二材料层；至少一个接触插塞，其形成为垂直地穿过虚设层叠体的部分或全部；以及电容器，其包括第一电极体和第二电极体，第一电极体和第二电极体形成为围绕至少一个接触插塞并且垂直地穿过虚设层叠体的部分或全部。

在本公开的实施方式中，一种制造半导体装置的方法可包括以下步骤：通过在半导体基板的接触区域中交替地层叠第一材料层和第二材料层来形成层叠体；形成穿过层叠体的部分或全部的至少一个接触孔和多个电容器电极孔；以及通过利用导电材料填充接触孔来形成接触插塞，并且通过利用导电材料填充所述多个电容器电极孔来形成包括第一电极体和第二电极体的电容器。

附图说明

图1A和图1B是示意性地示出根据本公开的实施方式的半导体装置的立体图。

图2是示意性地示出外围电路结构的截面图。

图3A和图3B是分别示出根据本公开的实施方式的半导体装置的平面图和截面图。

图4、图5A、图5B、图6A、图6B、图7、图8A、图8B、图9、图10A和图10B是示出根据本公开的实施方式的半导体装置的制造方法的截面图和平面图。

图11是示出根据本公开的实施方式的半导体装置的平面图。

图12是示出根据本公开的实施方式的半导体装置的平面图。

图13是示出根据本公开的实施方式的半导体装置中所包括的存储块的图。

图14是示出根据本公开的实施方式的存储器系统的配置的框图。

图15是示出根据本公开的实施方式的存储器系统的配置的框图。

图16是示出根据本公开的实施方式的计算系统的配置的框图。

图17是示出根据本公开的实施方式的计算系统的框图。

具体实施方式

提供本说明书或申请中介绍的本公开的实施方式中的具体结构或功能描述以例如描述根据本公开的构思的实施方式。根据本公开的构思的实施方式可按各种形式实践，不应被解释为限于本说明书或申请中描述的实施方式。

将理解，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时，它可直接在另一元件或层上、直接连接或联接到另一元件或层，或者可存在中间元件或层。相反，当元件被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接联接到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。

现在将在下文中参照附图描述本公开的各种实施方式。