[发明专利]微机电系统装置及其形成方法在审
| 申请号: | 202210056332.6 | 申请日: | 2022-01-18 |
| 公开(公告)号: | CN115520830A | 公开(公告)日: | 2022-12-27 |
| 发明(设计)人: | 刘陶承;颜振轩;陈盈薰 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | B81B7/00 | 分类号: | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
| 地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 微机 系统 装置 及其 形成 方法 | ||
1.一种微机电系统装置,其特征在于,包括:
一活动梳状结构,位于一外壳内的一空腔中且包括:
一梳轴部分;及
多个活动梳指,自该梳轴部分侧向突出,其中该活动梳状结构包括一金属材料部分;及
一静止结构,固定至该外壳,其中该活动梳状结构及该静止结构用以基于该活动梳状结构相对于该静止结构的侧向移动来产生一电输出信号。
2.根据权利要求1所述的微机电系统装置,其特征在于,该活动梳状结构包括与该金属材料部分接触的一半导体材料部分。
3.根据权利要求2所述的微机电系统装置,其特征在于,该半导体材料部分包括具有一p型或n型掺杂的一经掺杂的含多晶硅的材料。
4.根据权利要求1所述的微机电系统装置,其特征在于,该活动梳状结构包括与该金属材料部分接触的一介电衬垫。
5.根据权利要求1所述的微机电系统装置,其特征在于,该金属材料部分的多个表面实体地暴露于该空腔。
6.根据权利要求1所述的微机电系统装置,其特征在于,该金属材料部分包括选自一元素金属、一金属间合金、一金属半导体合金及一导电金属氮化物材料的一材料。
7.根据权利要求1所述的微机电系统装置,其特征在于,该金属材料部分作为一连续结构连续地延伸穿过该些活动梳指中的每一者。
8.根据权利要求1所述的微机电系统装置,其特征在于,该静止结构包括一静止梳状结构,该静止梳状结构包含与该些活动梳指交错的多个静止梳指。
9.一种微机电系统装置,其特征在于,包括:
一活动梳状结构,位于一外壳内的一空腔中且包括:
一梳轴部分;及
多个活动梳指,自该梳轴部分侧向突出,其中该活动梳状结构包括一第一金属材料部分;及
一静止结构,固定至该外壳且包括具有与该第一金属材料部分相同的一材料组成物的一第二金属材料部分,
其中该活动梳状结构及该静止结构用以基于该些活动梳状结构与该静止结构之间的一电容改变来产生一电输出信号。
10.一种形成微机电系统装置的方法,其特征在于,包括以下步骤:
在一半导体基质材料层中形成一第一沟槽及一第二沟槽;
在该第一沟槽及该第二沟槽中沉积至少一种沟槽填充材料,其中该至少一种沟槽填充材料包括一金属材料;及
移除该第一沟槽及该第二沟槽周围的该半导体基质材料层的一部分,其中该第一沟槽中的该至少一种沟槽填充材料的多个部分包括一活动梳状结构,且该第二沟槽中的该至少一种沟槽填充材料的多个部分包括一静止结构,且其中该活动梳状结构及该静止结构用以基于该些活动梳状结构与该静止结构之间的一电容改变来产生一电输出信号。
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