[发明专利]制造半导体装置的方法

说明书

制造半导体装置的方法包括形成光阻剂结构，包括在基板上形成包括光阻剂组成物的光阻剂层。形成光阻剂层之后，以添加剂处理光阻剂层。添加剂选自由自由基抑制剂、热自由基抑制剂和光自由基抑制剂所组成的群组中的一个或多个。

技术领域

本揭示内容是关于一种制造半导体装置的方法。

背景技术

随着消费装置因应消费者需求变得越来越小，装置的各个元件也需要缩小尺寸。半导体装置是手机和计算机平板等装置的主要组成元件，受到需要越来越小的压力，而半导体装置内的单个装置(例如晶体管、电阻器和电容器等)也面临相应的压力需要缩小尺寸。

半导体装置制造过程中使用的一种致能技术是微影材料的使用。此种材料应用于要进行图案化的层的表面，将其曝露于能量以进行图案化。此种曝露改变光敏材料在曝露区域的化学性质和物理性质。此种改变加上光敏材料在非曝露区域的未改变可用于移除一个区域而不移除另一个区域。

然而随着单个装置的尺寸缩小，微影能处理的范围也变得越来越窄。因此在微影处理的领域取得进展以保有缩小装置尺寸的能力是必要的，而且进一步的改进以达到需要的设计标准从而持续向越来越小的元件迈进也是必要的。

发明内容

本揭示内容是关于一种制造半导体装置的方法，在一些实施方式中，此方法包括形成光阻剂结构，包括在基板上形成包括光阻剂组成物的光阻剂层；以及在形成光阻剂层之后，以添加剂处理光阻剂层，其中添加剂是选自由自由基抑制剂、热自由基抑制剂和光自由基抑制剂所组成的群组中的一个或多个。

在一些实施方式中，此方法包括在基板上形成含金属光阻剂层；在形成含金属光阻剂层之前形成第一层在基板上，或是在形成含金属光阻剂层之后形成第一层在含金属光阻剂层上；以及从第一层扩散添加剂到含金属光阻剂层，其中添加剂是选自由自由基抑制剂、热自由基抑制剂和光自由基抑制剂所组成的群组中的一个或多个。

在一些实施方式中，此方法包括在基板上形成光阻剂层，其中光阻剂层包括金属光阻剂组成物；在光阻剂层上形成顶层，其中顶层包括聚合物和自由基抑制化合物；图案状曝露光阻剂层于光化辐射；以及显影图案状曝露的光阻剂层，以在光阻剂层形成图案。

附图说明

在阅读附图时，最好从以下详细叙述了解本揭露。需注意的是，按照工业的标准做法，各种特征没有依比例绘制，而且仅用以达到解说的目的。事实上，为了使讨论清晰，可能任意增加或减少各种特征的尺寸。

图1根据揭露的实施例说明半导体装置的制造过程流程；

图2根据揭露的实施例说明半导体装置的制造过程流程；

图3根据揭露的实施例说明半导体装置的制造过程流程；

图4根据揭露的实施例说明半导体装置的制造过程流程；

图5根据揭露的实施例说明半导体装置的制造过程流程；

图6A、图6B、图6C和图6D根据揭露的实施例说明依序操作的过程阶段；

图7A、图7B和图7C根据揭露的实施例说明一种操作的依序过程阶段；

图8A、图8B、图8C、图8D和图8E根据揭露的实施例说明一种操作的依序过程阶段；

图9A、图9B和图9C根据揭露的实施例说明一种操作的依序过程阶段；

图10A、图10B、图10C和图10D根据揭露的实施例说明一种操作的依序过程阶段；

图11A、图11B和图11C根据揭露的实施例说明一种操作的依序过程阶段；

图12A、图12B、图12C、图12D、图12E和图12F根据揭露的实施例说明依序操作的过程阶段；