[发明专利]一种低工艺角偏差延时电路

权利要求书

1.一种低工艺角偏差延时电路，其特征在于，包括：

低工艺角偏差电流镜电路和延时模块，所述低工艺角偏差电流镜电路包括电流镜以及开关结构电路；

所述低工艺角偏差电流镜电路，用于根据自身的输入电压生成两路电流，并调整自身器件参数使得两路电流相对于工艺角变化系数呈相反数，将两路电流输入至延迟模块，并控制延迟模块启动；

所述延迟模块，用于在启动时通过自身的充放电过程，产生固定时间的延迟信号。

2.如权利要求1所述的低工艺角偏差延时电路，其特征在于，所述低工艺角偏差电流镜电路包括第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)、第三MOS管(M3)、第四MOS管(M4)、第五MOS管(M5)、第六MOS管(M6)、第七MOS管(M7)、第八MOS管(M8)；

其中，所述第一MOS管(M1)的栅极和所述第七MOS管(M7)的栅极均连接第一输入电源端(V_BIASP)；所述第一MOS管(M1)的源极、所述第五MOS管(M5)的源极、所述第六MOS管(M6)的源极和所述第七MOS管(M7)的源极均连接第四输入电源端(VDD)；所述第二MOS管(M2)的栅极以及所述第八MOS管(M8)的栅极均连接第二输入电源端(V_IN)；所述第一MOS管(M1)的漏极连接所述第二MOS管(M2)的源极；所述第二MOS管(M2)的漏极连接所述第三MOS管(M3)的栅级、所述第四MOS管(M4)的栅级和所述第三MOS管(M3)的漏级；所述第三MOS管(M3)的源极以及所述第四MOS管(M4)的源极均连接接地端；所述第四MOS管(M4)的漏极连接所述第五MOS管(M5)的漏极、所述第五MOS管(M5)的栅极、所述第六MOS管(M6)的栅极；所述第七MOS管(M7)的漏极连接所述第八MOS管(M8)的源极；所述第六MOS管(M6)的漏极输出第一路电流至延迟模块，所述第八MOS管(M8)的漏极输出第二路电流至延迟模块。

3.如权利要求2所述的低工艺角偏差延时电路，其特征在于，所述延时模块包括第一电容(C1)、第九MOS管(M9)和第十MOS管(M10)；

所述第九MOS管(M9)的栅极连接所述第八MOS管(M8)的栅极，所述第九MOS管(M9)的漏极连接第一电容(C1)的一端，所述第九MOS管(M9)的源极连接所述第十MOS管(M10)的漏极，所述第十MOS管(M10)的栅极连接第三输入电源端(V_BIASN)；所述第十MOS管(M10)的源极以及第一电容(C1)的另一端接入接地端，所述第九MOS管(M9)的漏极为延时电路输出端(V_LCC-OUT)，输出固定时间的延迟信号。

4.如权利要求2所述的低工艺角偏差延时电路，其特征在于，所述第一MOS管(M1)为长沟MOS管，所述第七MOS管(M7)为短沟MOS管。