[发明专利]一种半导体晶圆溢流超声清洗装置在审

专利信息
申请号: 202210021047.0 申请日: 2022-01-10
公开(公告)号: CN114289405A 公开(公告)日: 2022-04-08
发明(设计)人: 朱严刚;张俊超;吴甘泉 申请(专利权)人: 南通康芯半导体科技有限公司
主分类号: B08B3/12 分类号: B08B3/12;B08B3/04;B08B9/087;B08B13/00;H01L21/67
代理公司: 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 代理人: 章威威
地址: 226500 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 溢流 超声 清洗 装置
【说明书】:

发明涉及半导体制造技术领域,提供一种半导体晶圆溢流超声清洗装置,包括清洗箱、超声器和底板,清洗箱的一侧贯穿有进水孔,清洗箱的一端贯穿有排水孔,清洗箱顶端的一侧设置有溢流排水口,清洗箱的内壁上涂覆有防腐层,清洗箱内部的底端安装有超声器,超声器的顶端安装有振子,清洗箱的内壁上设置有安装结构,清洗箱的内部安装有底板,底板的内部贯穿有通孔二,底板的上方设置清洁结构,清洗箱内部一端的一侧设置有通孔一。本发明通过设置有振子和超声器,在振子和超声器震动去除晶片表面杂质,相较只用纯水流动带出效果更好,所需时间更短,节约了用水量且缩短了生产周期提高产能。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种半导体晶圆溢流超声清洗装置。

背景技术

晶圆清洗工艺在半导体制造过程中及其重要,几乎每道工艺流程都会用到清洗,作用不同清洗的溶剂会有差异。

半导体晶圆清洗主要是脱除附着在晶圆表面的杂质离子,如:有机物、无机金属离子及颗粒物等,常规使用湿法清洗,其原理是使用化学酸、碱试剂与晶圆表面杂质离子发生络合反应或生成溶于水的物质,用高纯水流动带出,以达到去除晶圆表面杂质的目的;

随着工艺的进步,对晶圆电性的要求越来越严格,则相应的对晶圆清洗的洁净度的要求越来越高,之前水阻高于12MΩ/CM即可满足要求,现在宜要满足出水16MΩ/CM,现有工艺为了达到此要求纯靠高纯水流水冲到此阻值,往往需要很大的水流量及超过40分钟的工时,有时可能还不能满足要求需延长时间或者返清洗,这样不仅会浪费大量的纯水,且生产周期较长,浪费较为严重。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明的目的是提供一种半导体晶圆溢流超声清洗装置,用以解决现有的清洗装置清洗效果不佳,且浪费严重的缺陷。

(二)发明内容

为了解决上述技术问题,本发明提供如下技术方案:一种半导体晶圆溢流超声清洗装置,包括清洗箱、超声器和底板,所述清洗箱的一侧贯穿有进水孔,所述清洗箱的一端贯穿有排水孔,所述清洗箱顶端的一侧设置有溢流排水口,所述清洗箱的内壁上涂覆有防腐层,所述清洗箱内部的底端安装有超声器。

所述超声器的顶端安装有振子,所述清洗箱的内壁上设置有安装结构,所述清洗箱的内部安装有底板。

所述底板的内部贯穿有通孔二,所述底板的上方设置清洁结构,所述清洗箱内部一端的一侧设置有通孔一。

优选的,所述清洗箱的内部设置有两个隔板,所述清洗箱内部通过隔板分为三部分。

优选的,所述清洁结构包括清洁框、清洁刷一以及清洁刷二,所述清洁框设置于清洗箱的内部,所述清洁框的两侧固定有清洁刷一,所述清洁框的两端固定有清洁刷二。将清洁框放置清洗箱内部,通过清洁刷一和清洁刷二可对清洗箱内壁进行清洁,提高清洁的便捷性。

优选的,所述清洁刷一和清洁刷二均与清洗箱的内壁紧密贴合,所述清洁框俯视为矩形空腔设置。通过空腔设置能够避免影响该清洗装置正常使用时,通过清洁刷一和清洁刷二与清洗箱的内壁贴合,能够提高对清洗箱内壁的清洗效果。

优选的,所述安装结构包括定位板、弹簧、卡扣、卡槽以及插杆,所述定位板固定与清洗箱内壁的底部,所述定位板的内部贯穿有插杆,且插杆顶端与底板的底端固定连接,所述定位板内部的两侧设置有弹簧,且弹簧的一侧安装有卡扣,所述插杆的两侧嵌设有卡槽。后期在底板安装后,通过卡扣与卡槽的配合下,能够将底板稳固安装在清洗箱的内部,提高底板后期的使用性。

优选的,所述定位板的中间位置处纵向贯穿有与插杆相适配的卡接孔,所述定位板在清洗箱的内部设置有若干个。底板通过插杆与定位板相互卡接,能够使底板在清洗箱内部安装后的水平度,避免因出现偏移,影响使用。

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