[发明专利]一种半导体反应炉用石英片的成型装置及工艺

说明书

本发明公开了一种半导体反应炉用石英片的成型装置及工艺，包括温度控制柜、电阻式温度反应炉、反应腔、石英圆片、石墨制具、基座和推拉平台；此工艺是国内外石英行业急需的能够快速成型石英片的一种工艺，成型后尺寸精度高，表面工艺良好，物理性能突出，不受外部环境的影响，不仅提升产品合格率也显著提升产能，而且具有厚度均匀、无刀花、耐热耐腐蚀性能强及各规格石英片均易成型等优点。

技术领域

本发明涉及石英材料成型技术领域，具体是一种半导体反应炉用石英片的成型装置及工艺及工艺。

背景技术

随着国内半导体行业的不断发展，使得半导体及其配套行业对各种新型材料的需求日益增加，同时也对各新型材料的应用提出了挑战。

以往石英片成弧形是通过MC数控机床对石英砣进行机加磨削，然后手工研磨去机加工后的刀花，成品表面粗糙度差，生产周期长，合格率低，加工成本不确定等特点。又或者是通过数控机加工石英圆片，然后氢氧焰加热石英圆片，配合成型制具成型，对材料消耗大，成型完全由操作者熟练度掌握，石英产品已成为国内外半导体行业广泛应用的配套产品，而目前市场上所使用的产品存在着使用寿命短、物理性能差、尺寸精度低的缺点。

因此，本领域技术人员提供了一种半导体反应炉用石英片的成型装置及工艺，以解决上述背景技术中提出的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体反应炉用石英片的成型装置及工艺，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

本发明的第一目的在于提供：

一种半导体反应炉用石英片的成型装置及工艺，包括：温度控制柜、电阻式温度反应炉、反应腔、石英圆片、石墨制具、基座和推拉平台以及定位器，基座设置在推拉平台上，石墨制具平放在基座，石英圆片通过定位器平铺在石墨制具上，反应腔设置在基座上同时罩住石英圆片和石墨制具。

石墨制具表面粗糙度控制在几个μ级以内。

所述电阻式温度反应炉用于调控反应腔内部温度，反应腔内温度在1200℃-1400℃，恒温100min-130min。

石英圆片成型于高平面度的弧形石墨制具。

本发明的第二目的在于提供一种半导体反应炉用石英片的成型工艺，该工艺包括以下步骤：

步骤S001，依次设置按照温度控制柜、电阻式温度反应炉、反应腔、石英圆片、石墨制具、基座和推拉平台；

步骤S002，温度控制柜调节电阻式温度反应炉的腔内温度，由室温通过调节到恒温1200℃-1400℃，转至步骤S003；

步骤S003，调整反应腔的真空度，使石英圆片贴合于石墨制具上，保持恒温状态至100min-130min之间开始自然降温至室温；

步骤S004，石英圆片成型完成。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：此工艺是国内外石英行业急需的能够快速成型石英片的一种工艺，成型后尺寸精度高，表面工艺良好，物理性能突出，不受外部环境的影响，不仅提升产品合格率也显著提升产能，而且具有厚度均匀、无刀花、耐热耐腐蚀性能强及各规格石英片均易成型等优点。

附图说明

图1是本发明所述一种石英片的高温热成型工艺示意图。

图2是本发明热成型工艺用重要参数示意图。

图中：1、温度控制柜；2、电阻式温度反应炉；3、反应腔；4、石英圆片；5、石墨制具；6、基座；7、推拉平台。

具体实施方式