[发明专利]一种半导体反应炉用石英片的成型装置及工艺

权利要求书

1.一种半导体反应炉用石英片的成型装置及工艺，包括：温度控制柜(1)、电阻式温度反应炉(2)、反应腔(3)、石英圆片(4)、石墨制具(5)、基座(6)和推拉平台(7)以及定位器，其特征在于：基座(6)设置在推拉平台(7)上，石墨制具(5)平放在基座(6)，石英圆片(4)通过定位器平铺在石墨制具(5)上，反应腔(3)设置在基座(6)上同时罩住石英圆片(4)和石墨制具(5)。

2.根据权利要求1所述的一种半导体反应炉用石英片的成型装置及工艺，其特征在于，石墨制具(5)表面粗糙度控制在几个μ级以内。

3.根据权利要求1所述的一种半导体反应炉用石英片的成型装置及工艺，其特征在于，所述电阻式温度反应炉(2)用于调控反应腔(3)内部温度，反应腔(3)内温度在1200℃-1400℃，恒温100min-130min。

4.根据权利要求1所述的一种半导体反应炉用石英片的成型装置及工艺，其特征在于，石英圆片(4)成型于高平面度的弧形石墨制具(5)。

5.一种半导体反应炉用石英片的成型工艺，包括权利要求1-4中任一项所述的半导体反应炉用石英片的成型装置，其特征在于，该工艺包括以下步骤：

步骤S001，依次设置按照温度控制柜1、电阻式温度反应炉2、反应腔3、石英圆片4、石墨制具5、基座6和推拉平台7；

步骤S002，温度控制柜1调节电阻式温度反应炉2的腔内温度，由室温通过2调节到恒温1200℃-1400℃，转至步骤S003；

步骤S003，调整反应腔3的真空度，使石英圆片4贴合于石墨制具5上，保持恒温状态至100min-130min之间开始自然降温至室温；

步骤S004，石英圆片4成型完成。