[发明专利]变压器装置及半导体装置在审
申请号: | 202210017074.0 | 申请日: | 2022-01-07 |
公开(公告)号: | CN114765091A | 公开(公告)日: | 2022-07-19 |
发明(设计)人: | 今坂俊博;吉野学;山口靖雄;鸟井阳平 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01F27/30 | 分类号: | H01F27/30;H01F27/32;H01L23/64 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 变压器 装置 半导体 | ||
本发明涉及变压器装置及半导体装置。提供能够高品质地将导线接合于使线圈间绝缘的绝缘层上侧的焊盘的变压器装置。变压器装置具有:面状的第1线圈;第1绝缘层,其设置于第1线圈上侧;中间层,其设置于第1绝缘层上侧;第2绝缘层,其设置于中间层上侧;面状的第2线圈,其设置于第2绝缘层上侧,与第1线圈相对;以及导电性的焊盘,其设置于第2绝缘层上侧,与第2线圈的一端侧连接,焊盘配置于在俯视观察时与中间层至少局部地重叠的位置处,中间层比第1绝缘层及第2绝缘层的硬度高。
技术领域
本发明涉及变压器装置及半导体装置。
背景技术
作为在以不同的基准电位进行动作的两个电路间进行信号传输的手段,已知在半导体基板之上形成无芯变压器(coreless transformer)的技术、将有机绝缘膜用作无芯变压器的线圈间的绝缘层的技术。例如在专利文献1中公开了这样的技术。
专利文献1:日本特开2017-118128号公报
在现有技术中,存在如下问题,即,在将导线键合于在使线圈间绝缘的绝缘层上侧形成的焊盘时,该绝缘层变形,接合品质降低。
发明内容
本发明就是为了解决上述那样的问题而提出的,其目的在于提供能够高品质地将导线接合于使线圈间绝缘的绝缘层上侧的焊盘的变压器装置、及具有该变压器装置的半导体装置。
根据本发明的一个方式,提供变压器装置,该变压器装置具有:面状的第1线圈;第1绝缘层,其设置于第1线圈的上侧;中间层,其设置于第1绝缘层的上侧;第2绝缘层,其设置于中间层的上侧;面状的第2线圈,其设置于第2绝缘层的上侧,与第1线圈相对;以及导电性的焊盘,其设置于第2绝缘层的上侧,与第2线圈的一端侧连接,焊盘配置于在俯视观察时与中间层至少局部地重叠的位置处,中间层比第1绝缘层及第2绝缘层的硬度高。
另外,根据本发明的另一个方式,提供变压器装置,该变压器装置具有:面状的第1线圈;第1绝缘层,其设置于第1线圈的上侧;中间层,其设置于第1绝缘层的上侧;第2绝缘层,其设置于中间层的上侧;面状的第2线圈,其设置于第2绝缘层的上侧,与第1线圈相对;以及导电性的焊盘,其设置于第2绝缘层的上侧,与第2线圈的一端侧连接,焊盘配置于在俯视观察时与中间层至少局部地重叠的位置处,第1绝缘层及第2绝缘层为有机绝缘层,中间层为金属层或玻璃层。
另外,根据本发明的另一个方式,提供半导体装置,该半导体装置具有:本发明的变压器装置;以及半导体电路,其与第1线圈或第2线圈电连接。
发明的效果
本发明的一个方式的变压器装置具有:第1绝缘层,其设置于第1线圈上侧;中间层,其设置于第1绝缘层上侧;第2绝缘层,其设置于中间层上侧;以及导电性的焊盘,其设置于第2绝缘层上侧,与第2线圈的一端侧连接,焊盘配置于在俯视观察时与中间层至少局部地重叠的位置处,中间层比第1绝缘层及第2绝缘层的硬度高。由此,提供能够高品质地将导线接合于使线圈间绝缘的绝缘层上侧的焊盘的变压器装置。
另外,本发明的另一个方式的变压器装置具有:第1绝缘层,其设置于第1线圈上侧;中间层,其设置于第1绝缘层上侧;第2绝缘层,其设置于中间层上侧;以及导电性的焊盘,其设置于第2绝缘层上侧,与第2线圈的一端侧连接,焊盘配置于在俯视观察时与中间层至少局部地重叠的位置处,第1绝缘层及第2绝缘层为有机绝缘层,中间层为金属层或玻璃层。由此,提供能够高品质地将导线接合于使线圈间绝缘的绝缘层上侧的焊盘的变压器装置。
另外,本发明的另一个方式的半导体装置具有:本发明的变压器装置;以及半导体电路,其与第1线圈或第2线圈电连接。由此,提供具有本发明的变压器装置的半导体装置。
附图说明
图1是表示实施方式1的半导体装置的图。
图2是实施方式1的半导体装置的配线层及焊盘的俯视图。
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