[发明专利]变压器装置及半导体装置在审
申请号: | 202210017074.0 | 申请日: | 2022-01-07 |
公开(公告)号: | CN114765091A | 公开(公告)日: | 2022-07-19 |
发明(设计)人: | 今坂俊博;吉野学;山口靖雄;鸟井阳平 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01F27/30 | 分类号: | H01F27/30;H01F27/32;H01L23/64 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 变压器 装置 半导体 | ||
1.一种变压器装置,其具有:
面状的第1线圈;
第1绝缘层,其设置于所述第1线圈的上侧;
中间层,其设置于所述第1绝缘层的上侧;
第2绝缘层,其设置于所述中间层的上侧;
面状的第2线圈,其设置于所述第2绝缘层的上侧,与所述第1线圈相对;以及
导电性的焊盘,其设置于所述第2绝缘层的上侧,与所述第2线圈的一端侧连接,
所述焊盘配置于在俯视观察时与所述中间层至少局部地重叠的位置处,
所述中间层比所述第1绝缘层及所述第2绝缘层的硬度高。
2.根据权利要求1所述的变压器装置,其中,
所述第1绝缘层及所述第2绝缘层为有机绝缘层。
3.根据权利要求1或2所述的变压器装置,其中,
所述第1绝缘层及所述第2绝缘层含有聚酰亚胺。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的变压器装置,其中,
所述中间层为导体。
5.根据权利要求4所述的变压器装置,其中,
所述中间层含有铝或铜。
6.根据权利要求2至5中任一项所述的变压器装置,其中,
还具有在所述第1绝缘层的上表面之上设置的无机绝缘层,
所述中间层的至少一部分设置于所述无机绝缘层的上表面之上,
所述无机绝缘层的厚度小于或等于1μm。
7.根据权利要求6所述的变压器装置,其中,
所述无机绝缘层将所述第1绝缘层的上表面及侧面整体覆盖。
8.根据权利要求2至7中任一项所述的变压器装置,其中,
在所述第1线圈和所述第2线圈之间在上下方向上层叠有包含所述第1绝缘层及所述第2绝缘层的大于或等于3层有机绝缘层。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的变压器装置,其中,
在所述第1线圈和所述第2线圈之间在上下方向上层叠有包含所述第1绝缘层及所述第2绝缘层的大于或等于3层绝缘层,
所述中间层比所述大于或等于3层绝缘层的每一者的硬度高。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的变压器装置,其中,
在俯视观察时,所述中间层的外周包含于距离所述第1绝缘层的外周1.5μm以内的区域。
11.根据权利要求1至9中任一项所述的变压器装置,其中,
所述中间层将所述第1绝缘层的上表面及侧面整体覆盖。
12.根据权利要求1至10中任一项所述的变压器装置,其中,
俯视观察时中间层中的局部区域从所述第1绝缘层的上侧插入至所述第1绝缘层的内部。
13.根据权利要求1至10中任一项所述的变压器装置,其中,
还具有设置于所述第1线圈的上侧且位于所述第1绝缘层的下侧的第3绝缘层,
所述第3绝缘层比所述第1绝缘层的硬度高,
俯视观察时中间层中的局部区域将所述第1绝缘层贯穿而与所述第3绝缘层接触。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的变压器装置,其中,
在所述中间层设置有在上下方向上贯穿的孔。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的变压器装置,其中,
所述第1绝缘层及所述第2绝缘层各自的厚度大于或等于5μm。
16.根据权利要求1至15中任一项所述的变压器装置,其中,
所述中间层为非磁性层。
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