[发明专利]下转换器层转移装置和使用下转换器层转移装置的方法

权利要求书

1.一种下转换器层转移装置，包括：

释放衬垫；和

设置在所述释放衬垫上的下转换器层，所述下转换器层包括分散在整个粘合剂中的下转换器材料，所述下转换器层在第一温度下是固体且非粘性的，并且在高于所述第一温度的升高的温度下是粘性的。

2.根据权利要求1所述的下转换器层转移装置，其中所述下转换器层包括两个或更多个下转换器层像素，每个下转换器层像素包括不同的下转换器材料并设置在所述释放衬垫的不同区域上。

3.根据权利要求2所述的下转换器层转移装置，还包括在所述两个或更多个下转换器层像素之间的空间。

4.根据权利要求2所述的下转换器层转移装置，其中所述两个或更多个下转换器层像素是相邻的，并且在接合处相遇。

5.根据权利要求1所述的下转换器层转移装置，进一步包括设置在所述释放衬垫和所述下转换器层之间的硅化层。

6.根据权利要求1所述的下转换器层转移装置，其中所述下转换器材料包括磷光体、有机染料、量子点和散射剂中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的下转换器层转移装置，其中所述下转换器层在第一温度下的剪切模量G*(在1Hz下)大于100KPa，并且所述下转换器层在升高的温度下的剪切模量G*(在1Hz下)在1KPa和100KPa之间。

8.一种使用下转换器层转移装置的方法，所述方法包括：

提供具有设置在释放衬垫上的下转换器层的下转换器层转移装置，所述下转换器层包括分散在整个粘合剂中的第一下转换器材料；

将所述下转换器层与多个发光二极管的发光表面对准；

在升高的温度下使所述下转换器层与所述发光表面接触，所述升高的温度是所述粘合剂粘附到所述发光表面的温度；

将与所述多个发光二极管的发光表面接触的下转换器层像素冷却到低于所述升高的温度的温度；以及

移除所述释放衬垫，留下粘附到所述多个发光二极管的发光表面的所述下转换器层。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括固化所述下转换器层。

10.根据权利要求8所述的方法，其中使所述下转换器层在升高的温度下与所述发光表面接触包括对所述下转换器层转移装置和所述发光二极管施加真空。

11.根据权利要求8所述的方法，其中提供所述下转换器层转移装置包括：

提供所述释放衬垫；

混合粘合材料、第一下转换器材料和溶剂以形成第一粘合剂下转换器混合物；

用所述第一粘合剂下转换器混合物涂覆所述释放衬垫；和

从粘合剂下转换器混合物中移除所述溶剂以形成所述下转换器层。

12.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：

在用所述第一粘合剂下转换器混合物涂覆所述释放衬垫之前，在所述释放衬垫上形成光刻胶图案，所述光刻胶图案包括阱，其中用第一粘合剂下转换器材料涂覆所述释放衬垫包括在所述阱内设置所述第一粘合剂下转换器材料；和

移除所述光刻胶图案以留下具有下转换器层像素的像素图案的下转换器层，所述像素图案在每个下转换器层像素之间具有空间。

13.根据权利要求11所述的方法，还包括在涂覆粘合剂混合物之前，用硅化涂层涂覆所述释放衬垫。

14.根据权利要求8所述的方法，其中下转换器层的第一部分包括第一下转换器材料并且设置在所述释放衬垫的第一区域上，下转换器层的第二部分包括不同于所述第一下转换器材料的第二下转换器材料并且设置在所述释放衬垫的不同于第一区域的第二区域上。