[发明专利]光电半导体器件及其制造的方法

说明书

提出了一种光电半导体器件(16)，包括：‑层堆(9)，其包括至少一个侧表面(9A)、第一主表面(9B)和第二主表面(90)；‑布置在第一主表面(9B)上的第一接触装置(12)，其被设置为用于电接触层堆(9)的第一半导体区域(4)；‑布置在第二主表面(90)上的第二接触装置(17)，其被设置为用于电接触层堆(9)的第二半导体区域(5)并具有辐射透射性；和‑布置在层堆(9)上的导电的边缘层(11)，其从第二接触装置(17)经由侧表面(9A)延伸至第一主表面(9B)，和‑布置在边缘层(11)和层堆(9)之间的第一介电层(10)，其中第二主表面(90)未被第一介电层(10)覆盖。还提出了一种用于制造至少一个光电半导体器件的方法。

技术领域

本发明提出了一种光电半导体器件及其制造方法。光电半导体器件例如是倒装芯片。

背景技术

在倒装芯片中，第一和第二导电性类型的电荷载流子通常在倒装芯片的半导体层之下、即不在倒装芯片的外表面上馈送和分布。在此，有源区上方的半导体层的接触需要器件中的重新布线。倒装芯片是众所周知的，它使用蚀刻的盲孔使半导体层在电气上是可接触的。然而，这导致倒装芯片的面积效率降低。

发明内容

本发明要解决的技术问题是，给出一种面积优化的光电半导体器件。另一个要解决的技术问题是，给出一种用于制造面积优化的光电半导体器件的方法。

上述技术问题除其他外由具有独立权利要求的特征的光电半导体器件和用于制造光电半导体器件的方法来解决。

根据光电半导体器件的至少一个实施方式，其包括层堆，该层堆具有第一导电性类型的第一半导体区域、第二导电性类型的第二半导体区域以及布置在第一和第二半导体区域之间的有源(active)区。例如，第一半导体区域是p掺杂区域，第二半导体区域是n掺杂区域。此外，有源区优选地被设置为用于产生电磁辐射。

此外，层堆包括在侧向上限制层堆的至少一个侧表面，以及第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面，其中第一和第二主表面分别相对于侧表面横向地布置、优选地既不平行也不垂直于侧表面。特别地，第一主表面是布置在第一半导体区域的一侧上的层堆的表面，第二主表面是布置在第二半导体区域的一侧上的层堆的表面。优选地，所产生的辐射的很大一部分在第二主表面的一侧上从半导体器件中逸出。

层堆可能是光电半导体器件的最厚层。例如，层堆可以占光电半导体器件厚度的50％。在此，厚度表示垂直于半导体器件的主延伸平面的延展。

此外，光电半导体器件包括布置在第一主表面上的第一接触装置，其被设置为用于电接触第一半导体区域，和布置在第二主表面上的第二接触装置，其被设置为用于电接触第二半导体区域并且是辐射透射的，以及布置在层堆上的导电的边缘层，其从第二接触装置经由侧表面延伸至第一主表面。

边缘层可以在侧向上、即在至少一个侧表面上，至少逐区域地布置在层堆后面。

此外，边缘层可以具有布置在第二主表面上的端部区域，其具有相应于导电的边缘层的厚度的侧向延展。在此，相应于厚度的侧向延展既被理解为相同的或同一个值，也被理解为最大2倍、特别是最大1.5倍大的值。例如，在边缘层和第二主表面之间是直角的情况下获得相同的或同一个值，而在较小的角度、特别是大于30°且小于90°的角度的情况下假定较高的值。

例如，第二主表面上的边缘层可以被设计为无屈曲或无曲率的。因此，边缘层可以在至少一个侧表面上共形地布置。

特别地，边缘层可以实现在第一主表面的一侧上电接触第二半导体区域。

优选地，第二半导体区域布置针对辐射发射设置的正面上，并且第一半导体区域布置在与正面相对的、光电半导体器件的背面上。