[发明专利]光电半导体器件及其制造的方法

权利要求书

1.一种光电半导体器件(16)，包括

-层堆(9)，包括

-第一导电性类型的第一半导体区域(4)，

-第二导电性类型的第二半导体区域(5)，

-布置在所述第一和第二半导体区域(4，5)之间的有源区(6)，

-在侧向上限制层堆(9)的至少一个侧表面(9A)，

-第一主表面(9B)和与所述第一主表面(9B)相对的第二主表面(9C)，其中所述第一和第二主表面(9B，9C)分别横向于所述侧表面(9A)布置；

-布置在所述第一主表面(9B)上的第一接触装置(12)，所述第一接触装置被设置为用于电接触所述第一半导体区域(4)；

-布置在所述第二主表面(9C)上的第二接触装置(17)，所述第二接触装置被设置为用于电接触所述第二半导体区域(5)并且具有辐射透射性；和

-布置在所述层堆(9)上的导电的边缘层(11)，所述导电的边缘层从所述第二接触装置(17)经由所述侧表面(9A)延伸至所述第一主表面(9B)，并且所述导电的边缘层具有布置在所述第二主表面(9C)上的端部区域(11B)，其中所述端部区域(11B)具有相应于导电的边缘层(11)的厚度(d1)的侧向延展(b1)；和

-布置在所述边缘层(11)与所述层堆(9)之间第一介电层(10)，其中所述第二主表面(9C)未被所述第一介电层(10)覆盖。

2.一种光电半导体器件(16)，包括

-层堆(9)，包括

-第一导电性类型的第一半导体区域(4)，

-第二导电性类型的第二半导体区域(5)，

-布置在所述第一和第二半导体区域(4，5)之间的有源区(6)，

-在侧向上限制所述层堆(9)的至少一个侧表面(9A)，

-第一主表面(9B)和与所述第一主表面(9B)相对的第二主表面(9C)，其中所述第一和第二主表面(9B，9C)分别横向于所述侧表面(9A)布置；

-布置在所述第一主表面(9B)上的第一接触装置(12)，所述第一接触装置被设置为用于电接触所述第一半导体区域(4)；

-布置在所述第二主表面(9C)上的第二接触装置(17)，所述第二接触装置被设置为用于电接触所述第二半导体区域(5)并且具有辐射透射性；和

-布置在所述层堆(9)上的导电的边缘层(11)，所述导电的边缘层从所述第二接触装置(17)经由所述侧表面(9A)延伸至所述第一主表面(9B)；以及

-布置在所述边缘层(11)和所述层堆(9)之间第一介电层(10)，其中所述第二主表面(9C)未被第一介电层(10)覆盖，并且其中所述第一介电层(10)与第二主表面(9C)齐平。

3.根据上述权利要求中任一项所述的光电半导体器件(16)，其中所述边缘层(11)共形地布置在所述至少一个侧表面(9A)上。

4.根据上述权利要求中任一项所述的光电半导体器件(16)，其中所述第二主表面(9C)未被所述边缘层(11)覆盖。

5.根据上述权利要求中任一项所述的光电半导体器件(16)，其中所述边缘层(11)在所述第二主表面(9C)的背向所述层堆(9)的一侧上不突出于所述第二主表面(9C)。

6.根据上述权利要求中任一项所述的光电半导体器件(16)，其中

所述第二半导体区域(5)具有布置在所述第二主表面(9C)上的、由半导体材料形成的接触层(5A)，第二接触装置(17)至少部分地直接布置在所述接触层上。

7.根据上述权利要求中任一项所述的光电半导体器件(16)，其中所述第二接触装置(17)包含或由以下材料中的至少一种制成：TCO、金属、半导体、石墨烯。

8.根据上述权利要求中任一项所述的光电半导体器件(16)，其中所述第二接触装置(17)是施加在所述第二主表面(9C)上的层。