[发明专利]具有径向变化等离子体阻抗的承载环

说明书

本文提供了具有径向变化的等离子体阻抗的承载环。在一些实施方案中，承载环可包括保持可移除内环的外环。外环可以由介电材料例如陶瓷形成。内环可以由诸如铝之类的金属形成以提供期望的阻抗。在一些其他实施方案中，承载环由具有径向变化阻抗的单件形成。

通过引用并入

PCT申请表作为本申请的一部分与本说明书同时提交。在同时提交的PCT申请表中所标识的本申请要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。

背景技术

本公开内容涉及在处理室内处理期间支撑半导体晶片的承载环。

这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的发明人的工作在其在此背景技术部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。

发明内容

在一个方面，提供了一种承载环，其包括多站等离子体处理系统，其中该系统包括：第一处理站，其包括第一组支撑特征，该第一组支撑特征被配置为当衬底在第一处理站被处理时在第一组位置处将衬底支撑在衬底的背面上；以及第二处理站，其包括第二组支撑特征，所述第二组支撑特征被配置成当在第二处理站处处理衬底时在第二组位置处将衬底保持在衬底背面上，其中第一组位置与第二组位置是非重叠的。

一方面，提供了一种载环，其包括由介电材料形成并具有接合特征的外环和由金属形成的内环，其中内环与外环的接合特征接合，并且其中，内环被配置为在处理室内的处理期间支撑半导体晶片。

在另一方面，提供了一种等离子体处理系统，其包括喷淋基座和衬底支撑件，其中衬底支撑件包括：具有第一等离子体阻抗的内部部分，该内部部分被配置成以与喷淋基座间隔开的关系保持衬底；以及具有第二等离子体阻抗的外部部分，第二等离子体阻抗不同于第一等离子体阻抗。

附图说明

图1A和1B是根据某些公开的实施方案的衬底处理系统的示意图。

图2是根据某些公开的实施方案的多站处理工具的俯视图。

图3是根据某些公开的实施方案的多站处理工具的示意图。

图4A和4B是根据某些公开的实施方案的晶片承载环的透视图。

图5A是根据某些公开的实施方案的晶片承载环的剖视图。

图5B是根据某些公开的实施方案的显示径向变化的电阻抗的晶片承载环的剖视图。

图6是根据某些公开的实施方案的用于控制衬底处理系统的示例性控制模块的示意图。

具体实施方式

在下面的描述中，阐述了许多具体细节以提供对所呈现的实施方案的透彻理解。可以在没有这些具体细节中的一些或全部的情况下实践所公开的实施方案。在其他情况下，没有详细描述公知的工艺操作以避免不必要地模糊所公开的实施方案。尽管将结合具体实施方案来描述所公开的实施方案，但是应当理解，其不旨在限制所公开的实施方案。

本公开内容的部分涉及等离子体增强化学气相沉积(PECVD)，其是一种等离子体沉积，用于在衬底(如晶片)上沉积从气态(即，蒸气)到固态的薄膜。PECVD系统将液体前体转化为蒸汽前体，然后输送到室。PECVD系统可包括蒸发器，其以受控方式蒸发液态前体以产生蒸气前体。通常，用于PECVD的室使用陶瓷基座在处理过程中支撑晶片，从而能够在高温下进行处理。

大多数用于形成设备的PECVD沉积和其他处理发生在晶片的正面，例如顶侧。随着沉积层的堆积，它们会在晶片中引入应力。这种应力会导致晶片弯曲，这是不希望的。在弯曲很明显的地方，它会对后续的处理步骤产生有害影响。有时，在晶片背面沉积材料可能会抵消晶片弯曲和应力。然而，为了沉积在晶片的背面，晶片必须翻转并以背面朝上的方式加载。翻转晶片会带来额外的问题，例如额外的处理、可能暴露于颗粒和/或加工产量的降低。