[发明专利]配线结构体及其制造方法、以及半导体封装件

权利要求书

1.一种制造配线结构体的方法，其具备在绝缘树脂层上形成配线的工序，其中，

所述形成配线的工序依次包括：

通过伴随表面改性的处理方法处理所述绝缘树脂层的表面，在所述绝缘树脂层的表层形成包含空孔的改性区域；

在所述绝缘树脂层的所述表面上通过溅射形成包含1层以上的金属层的种子层；

在所述种子层上形成具有包含供所述种子层露出的配线形成用的开口部的图案的抗蚀剂；

在露出于所述开口部内的所述种子层上通过电解铜镀敷形成所述配线；

去除所述抗蚀剂；及

去除所述种子层中未被所述配线覆盖的部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述种子层包含与所述绝缘树脂层接触的密合层及形成于所述密合层上的供电层，

所述密合层为含有钛、铬、钨、镍或它们的组合的金属层，

所述供电层为含有铜的金属层。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，

包含所述改性区域的所述绝缘树脂层的所述表面具有70nm以下的表面粗糙度Ra。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，

所述改性区域形成于所述绝缘树脂层的从所述表面起至50nm以上的深度。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，

所述方法进一步具备：在基材上形成具有包含供所述基材露出的连结部形成用的开口部的图案的所述绝缘树脂层的工序，

所述种子层以延伸至在连结部形成用的所述开口部内露出的所述基材的表面上的方式形成，

所述抗蚀剂的图案进一步包含供在所述绝缘树脂层的连结部形成用的所述开口部内形成的所述种子层露出的连结部形成用的开口部，

通过电解铜镀敷，一同形成所述配线以及填充连结部形成用的所述开口部的连结部，之后，去除所述种子层中未被所述配线或所述连结部覆盖的部分。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，

所述方法进一步具备：

通过形成层叠于在所述基材上形成的第1层的所述绝缘树脂层上的2层以上的追加的绝缘树脂层及设置于相邻的追加的所述绝缘树脂层之间的追加的配线来形成包含3层以上的所述绝缘树脂层及2层以上的所述配线的多层配线部的工序，

所述形成多层配线部的工序依次包括：

在第1层或追加的所述绝缘树脂层上形成具有包含供在第1层或追加的所述绝缘树脂层的开口部内形成的下层的连结部露出的连结部形成用的开口部的图案的追加的绝缘树脂层；

通过伴随表面改性的处理方法处理追加的所述绝缘树脂层的表面，在追加的所述绝缘树脂层的表层形成包含空孔的改性区域；

在追加的所述绝缘树脂层的所述表面上通过溅射形成包含1层以上的金属层且延伸至在连结部形成用的所述开口部内露出的所述下层的连结部上的种子层；

在所述种子层上形成具有包含供所述种子层露出的配线形成用的开口部的图案的抗蚀剂，所述图案进一步包含供在追加的所述绝缘树脂层的连结部形成用的所述开口部内形成的所述种子层露出的连结部形成用的开口部；

在露出于所述抗蚀剂的配线形成用或连结部形成用的所述开口部内的所述种子层上通过电解铜镀敷形成追加的配线及连结部；

去除所述抗蚀剂；及

去除所述种子层中未被追加的所述配线或所述连结部覆盖的部分。

7.一种配线结构体，其具备：

绝缘树脂层；

种子层，设置于所述绝缘树脂层上，且包含1层以上的金属层；及

铜配线，设置于所述种子层上，

在所述绝缘树脂层的所述种子层侧的表层形成有包含空孔的改性区域，形成所述种子层的金属的一部分进入到所述空孔内。

8.根据权利要求7所述的配线结构体，其中，

所述种子层包含与所述绝缘树脂层接触的密合层及形成于所述密合层上的供电层，

所述密合层为含有钛、铬、钨、镍或它们的组合的金属层，

所述供电层为含有铜的金属层。