[发明专利]半导体元件被覆用玻璃以及使用其的半导体被覆用材料在审
| 申请号： | 202180013428.8 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN115066404A | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 广濑将行 | 申请（专利权）人： | 日本电气硝子株式会社 |
| 主分类号： | C03C3/066 | 分类号： | C03C3/066;H01L21/316 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 被覆 玻璃 以及 使用 用材 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体元件被覆用玻璃，其特征在于，以摩尔％计含有ZnO+SiO2 40％～65％、B2O3 7％～25％、A2O3 5％～15％、MgO 8％～22％作为玻璃组成，实质上不含铅成分。
2.根据权利要求1所述的半导体元件被覆用玻璃，其特征在于，摩尔比SiO2/ZnO为0.5～2.0。
3.根据权利要求1或2所述的半导体元件被覆用玻璃，其特征在于，摩尔比Al2O3/(ZnO+SiO2)为0.08～0.30。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体元件被覆用玻璃，其特征在于，30℃～300℃的温度范围内的热膨胀系数为20×10-7/℃～55×10-7/℃。
5.一种半导体元件被覆用材料，其特征在于，含有包含权利要求1～3中任一项所述的半导体元件被覆用的玻璃粉末75质量％～100质量％、陶瓷粉末0质量％～25质量％。
6.根据权利要求5所述的半导体元件被覆用材料，其特征在于，30～300℃的温度范围内的热膨胀系数为20×10-7/℃～55×10-7/℃。
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