[发明专利]用于三维NAND存储器中的字线触点的阻挡层及其制造方法

权利要求书

1.一种用于形成三维存储器器件的方法，包括：

设置交替电介质堆叠体，其中，所述交替电介质堆叠体包括在垂直于衬底的第一方向上交替堆叠在所述衬底上的第一电介质层和第二电介质层；

在所述交替电介质堆叠体中形成阶梯结构和分隔壁，其中，所述阶梯结构和所述分隔壁在平行于所述衬底的第二方向上延伸，并且所述分隔壁与所述阶梯结构相邻；

在所述阶梯结构上依次形成第一阻挡层和不同于所述第一阻挡层的第二阻挡层；以及

在所述分隔壁中形成栅极线缝隙(GLS)开口，其中，所述GLS开口在所述第一方向上穿透所述交替电介质堆叠体，并且在平行于所述衬底并且垂直于所述第二方向的第三方向上远离所述第二阻挡层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述阶梯结构上形成所述第一阻挡层还包括：设置所述第一阻挡层以至少覆盖所述阶梯结构的阶梯梯级的侧壁。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述阶梯结构上形成所述第二阻挡层包括：

在所述阶梯结构和所述分隔壁上设置电介质材料；以及

去除所述电介质材料的设置在所述分隔壁上的第一部分。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括：

去除所述电介质材料的设置在所述阶梯结构的与所述分隔壁相邻的第二区域中的第二部分，以在所述阶梯结构的第一区域中形成所述第二阻挡层，其中，所述第一区域和所述第二区域在所述第二方向上延伸，并且所述第一区域在所述阶梯结构的中心。

5.根据权利要求4所述的方法，还包括：

设置阻挡掩模以暴露所述分隔壁和所述阶梯结构的与所述分隔壁相邻的所述第二区域。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

将GLS填充物设置在所述GLS开口内部以形成GLS，其中，所述GLS填充物包括绝缘材料。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

通过所述GLS开口从所述第一电介质层之间去除所述第二电介质层以形成横向隧道；以及

将第一导电材料设置在所述横向隧道内部以形成膜堆叠体，所述膜堆叠体包括交替堆叠的导电层和所述第一电介质层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，去除所述第二电介质层包括：相对于所述第一电介质层和所述第一阻挡层选择性地蚀刻所述第二电介质层。

9.根据权利要求7所述的方法，还包括：

在所述阶梯结构上方的所述第二阻挡层上设置绝缘层。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：

形成触点结构以接触所述膜堆叠体中的所述导电层中的一个导电层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述触点结构包括：形成在所述第一方向上穿透所述绝缘层以暴露所述导电层中的所述一个导电层的部分的触点开口。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述触点结构还包括：将第二导电材料设置在所述触点开口内部以接触所述导电层中的所述一个导电层的暴露部分。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述触点开口包括：相对于所述第二阻挡层选择性地蚀刻所述绝缘层。