[发明专利]具有阶梯结构的三维存储器器件及其形成方法

权利要求书

1.一种三维(3D)存储器器件，包括：

交错的导电层和电介质层，其中，所述导电层和所述电介质层的边缘限定多个阶梯；以及

多个着陆结构，每个着陆结构设置在相应阶梯处的相应导电层上，其中，所述着陆结构中的每一个着陆结构包括第一材料的第一层和第二材料的第二层，所述第一层在所述第二层之上，所述第二材料不同于所述第一材料。

2.根据权利要求1所述的3D存储器器件，其中，所述第一材料包括导电材料。

3.根据权利要求1或2所述的3D存储器器件，其中，所述第一材料包括钨。

4.根据权利要求1-3中的任何一项所述的3D存储器器件，其中，所述第二材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、多晶硅或其组合。

5.根据权利要求1-4中的任何一项所述的3D存储器器件，其中，所述第一层与所述相应导电层接触，并且横向地和垂直地围绕所述第二层。

6.根据权利要求1-5中的任何一项所述的3D存储器器件，其中，所述着陆结构各自还包括被所述第二层围绕的第三层，所述第三层包括第三材料。

7.根据权利要求6所述的3D存储器器件，其中，所述第三材料是导电材料。

8.根据权利要求6或7所述的3D存储器器件，其中，所述第三材料与所述第一材料相同。

9.根据权利要求5所述的3D存储器器件，其中

所述第一层在相应着陆结构的侧表面之上；并且

所述第二层填充所述相应着陆结构的其余部分。

10.根据权利要求9所述的3D存储器器件，其中，所述第一层包括钨，所述第二层包括氮化硅，并且所述相应导电层包括钨。

11.根据权利要求9所述的3D存储器器件，其中，所述第一层包括钨，所述第二层包括多晶硅，并且所述相应导电层包括钨。

12.根据权利要求6-8中的任何一项所述的3D存储器器件，其中

所述第一层在相应着陆结构的侧表面之上；

所述第二层在所述第一层和所述相应导电层的侧表面之上；并且

所述第三层填充所述相应着陆结构的其余部分。

13.根据权利要求12所述的3D存储器器件，其中，所述第一层包括钨，所述第二层包括氧化硅，所述第三层包括钨，并且所述相应导电层包括钨。

14.根据权利要求1-13中的任何一项所述的3D存储器器件，其中，所述导电层各自包括所述第一材料。

15.一种存储器系统，包括：

三维(3D)存储器器件，包括：

交错的导电层和电介质层，其中，所述导电层和所述电介质层的边缘限定多个阶梯；以及

多个着陆结构，每个着陆结构设置在相应阶梯处的相应导电层上，其中，所述着陆结构中的每一个着陆结构包括第一材料的第一层和第二材料的第二层，所述第一层在所述第二层之上，所述第二材料不同于所述第一材料，以及

存储器控制器，所述存储器控制器耦合到所述3D存储器器件并且被配置为控制所述3D存储器器件的操作。

16.根据权利要求15所述的存储器系统，其中，所述第一材料包括导电材料，并且所述第二材料不同于所述第一材料。

17.根据权利要求15或16所述的存储器系统，其中，所述第一层与所述相应导电层接触，并且横向地和垂直地围绕所述第二层。