[发明专利]氮基半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202180003499.X | 申请日： | 2021-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN114207837A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 何清源;郝荣晖;陈扶;章晋汉;黄敬源 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（苏州）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/45;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙) 44588 | 代理人： | 王琴;曹玉存 |
| 地址： | 215211 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种氮基半导体器件，其特征在于，包括：
第一氮基半导体层；
第二氮基半导体层，设置于所述第一氮基半导体层上，并且其具有的带隙大于所述第一氮基半导体层的带隙；
源极电极和栅极电极，设置于所述第二氮基半导体层之上；以及
漏极结构，设置于所述第二氮基半导体层上，所述漏极结构包括：
第一掺杂的氮基半导体层，与所述第二氮基半导体层接触以形成第一接触界面；
欧姆接触电极，与所述第二氮基半导体层接触以形成第二接触界面；以及
导电层，包括金属并与所述第二氮基半导体层接触以在其间形成金属-半导体接面，
其中所述导电层连接所述第一掺杂的氮基半导体层和所述欧姆接触电极，且所述第二接触界面比所述第一接触界面和所述金属-半导体接面更远离所述栅极电极。
2.根据前述权利要求中任一项所述的氮基半导体器件，其特征在于，其中所述第一接触界面出现于所述金属-半导体接面和所述第二接触界面之间。
3.根据前述权利要求中任一项所述的氮基半导体器件，其特征在于，其中所述第一接触界面紧靠所述金属-半导体接面和所述第二接触界面。
4.根据前述权利要求中任一项所述的氮基半导体器件，其特征在于，其中所述导电层向上延伸至高于所述第一掺杂的氮基半导体层和所述欧姆接触电极的位置。
5.根据前述权利要求中任一项所述的氮基半导体器件，其特征在于，其中所述导电层直接覆盖所述第一掺杂的氮基半导体层的上表面和所述欧姆接触电极的上表面。
6.根据前述权利要求中任一项所述的氮基半导体器件，其特征在于，还包括：
接触通孔，连接所述导电层，并通过所述导电层与所述第一掺杂的氮基半导体层和所述欧姆接触电极电耦合。
7.根据前述权利要求中任一项所述的氮基半导体器件，其特征在于，其中所述第一掺杂的氮基半导体层紧靠所述欧姆接触电极以形成垂直界面。
8.根据前述权利要求中任一项所述的氮基半导体器件，其特征在于，其中所述漏极结构还包括：
第二掺杂的氮基半导体层，与所述第二氮基半导体层接触，以在所述栅极电极和所述金属-半导体接面之间形成第三接触界面。
9.根据前述权利要求中任一项所述的氮基半导体器件，其特征在于，其中所述金属-半导体接面紧靠所述第三接触界面。
10.根据前述权利要求中任一项所述的氮基半导体器件，其特征在于，其中所述导电层完全地填充所述第一和所述第二掺杂的氮基半导体层之间的区域。
11.根据前述权利要求中任一项所述的氮基半导体器件，其特征在于，其中所述导电层直接覆盖所述第一和第二掺杂的氮基半导体层的上表面。
12.根据前述权利要求中任一项所述的氮基半导体器件，其特征在于，其中所述第一掺杂的氮基半导体层和所述第二掺杂的氮基半导体层的宽度彼此不同。
13.根据前述权利要求中任一项所述的氮基半导体器件，其特征在于，其中所述导电层和所述第二氮基半导体层共同地形成肖特基二极管，且所述肖特基二极管横跨所述金属-半导体接面。
14.根据前述权利要求中任一项所述的氮基半导体器件，其特征在于，其中所述第二接触界面为欧姆接触界面。
15.根据前述权利要求中任一项所述的氮基半导体器件，其特征在于，其中所述导电层包括氮化钛。
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