[发明专利]存储器器件及其异步多面独立读取操作

说明书

在某些方面中，公开了一种用于操作存储器器件的方法。存储器器件包括多个存储器面。确定指令是异步多面独立(AMPI)读取指令还是非AMPI读取指令。响应于指令是AMPI读取指令，基于AMPI读取指令生成AMPI读取控制信号，并且将AMPI读取控制信号引导到存储器面中的对应存储器面。响应于指令是非AMPI读取指令，基于非AMPI读取指令生成非AMPI读取控制信号，并且将非AMPI读取控制信号引导到存储器面中的每个存储器面。

背景技术

本公开涉及存储器器件及其操作。

闪存存储器是一种可以被电擦除和重新编程的低成本、高密度、非易失性的固态存储介质。闪存存储器包括NOR闪存存储器和NAND闪存存储器。可以由闪存存储器执行各种操作，例如，读取、编程(写入)和擦除，以将每个存储器单元的阈值电压改变为期望电平。对于NAND闪存存储器，可以在块级执行擦除操作，并且可以在页级执行编程操作或读取操作。

发明内容

在一个方面中，一种存储器器件包括N个存储器面(其中，N是大于1的整数)，第一微控制器单元(MCU)，N-1个AMPI读取单元，以及耦合到N个存储器面、第一MCU和N-1个AMPI读取单元的多路复用电路。第一MCU被配置为提供用于N个存储器面中的一个存储器面的异步多面独立(AMPI)读取控制信号，以控制对存储器面的AMPI读取操作，并且提供用于N个存储器面中的每个存储器面的非AMPI读取控制信号，以控制对每个存储器面的非AMPI读取操作。每个AMPI读取单元被配置为提供用于N-1个存储器面中的相应存储器面的AMPI读取控制信号，以控制对相应存储器面的AMPI读取操作。多路复用电路被配置为在非AMPI读取操作中，将非AMPI读取控制信号从第一MCU引导到每个存储器面，并且在AMPI读取操作中，将N个AMPI读取控制信号中的每个AMPI读取控制信号从第一MCU或者N-1个AMPI读取单元中的对应AMPI读取单元引导导相应存储器面。

在另一方面中，一种系统包括被配置为存储数据的存储器器件和耦合到存储器器件的存储器控制器，存储器控制器被配置为将AMPI读取指令或非AMPI读取指令发送到存储器器件，以控制存储器器件的对所存储的数据的操作。存储器器件包括N个存储器面(其中，N是大于1的整数)，第一MCU，N-1个AMPI读取单元，耦合到N个存储器面、第一MCU和N-1个AMPI读取单元的多路复用电路，以及耦合到多路复用电路的接口。第一MCU被配置为提供用于N个存储器面中的一个存储器面的AMPI读取控制信号，以控制对存储器面的AMPI读取操作，并且提供用于N个存储器面中的每个存储器面的非AMPI读取控制信号，以控制对每个存储器面的非AMPI读取操作。每个AMPI读取单元被配置为提供用于N-1个存储器面中的相应存储器面的AMPI读取控制信号，以控制对相应存储器面的AMPI读取操作。多路复用电路被配置为将控制信号从第一MCU或者N-1个AMPI读取单元中的对应AMPI读取单元引导到N个存储器面中的对应存储器面。接口被配置为控制多路复用电路，以在非AMPI读取操作中，将非AMPI读取控制信号从第一MCU引导到每个存储器面，并且在AMPI读取操作中，将N个AMPI读取控制信号中的每个AMPI读取控制信号从第一MCU或对应AMPI读取单元引导到相应存储器面。

在又一方面中，公开了一种用于操作存储器器件的方法。存储器器件包括多个存储器面。确定指令是AMPI读取指令还是非AMPI读取指令。响应于指令是AMPI读取指令，基于AMPI读取指令生成AMPI读取控制信号，并且将AMPI读取控制信号引导到存储器面中的对应存储器面。响应于指令是非AMPI读取指令，基于非AMPI读取指令生成非AMPI读取控制信号，并且将非AMPI读取控制信号引导到存储器面中的每个存储器面。

附图说明

并入本文并且形成说明书的一部分的附图示出了本公开的方面，并且与描述一起进一步用于解释本公开并且使相关领域的技术人员能够制成和使用本公开。

图1示出了根据本公开的一些方面的具有存储器器件的示例性系统的块图。

图2A示出了根据本公开的一些方面的具有存储器器件的示例性存储器卡的示图。