[发明专利]存储器器件及其操作方法

说明书

一种存储器器件包括存储器单元阵列、多条位线、电流控制电路和放电使能电路。存储器单元阵列包括多个存储器单元列。多条位线分别耦合到多个存储器单元列。电流控制电路耦合到多条位线，以控制放电操作中的放电电流。放电使能电路耦合到电流控制电路以使能放电操作。放电操作对多条位线上的电荷放电。

背景技术

本公开涉及存储器器件及其操作方法。

闪存存储器是一种可以被电擦除和重新编程的低成本、高密度、非易失性的固态存储介质。闪存存储器包括NOR闪存存储器和NAND闪存存储器。可以由闪存存储器执行各种操作，例如，读取、编程(写入)和擦除，以将每个存储器单元的阈值电压改变为期望电平。在闪存存储器的读取/编程/擦除操作期间，在算法结束时必须对闪存存储器的位线放电。需要放电的电荷量由位线的数量确定。

发明内容

本文公开了存储器器件和操作方法。

在一个方面中，公开了一种存储器器件。存储器器件包括存储器单元阵列、多条位线、电流控制电路和放电使能电路。存储器单元阵列包括多个存储器单元列。多条位线分别耦合到多个存储器单元列。电流控制电路耦合到多条位线，以控制放电操作中的放电电流。放电使能电路耦合到电流控制电路以使能放电操作。放电操作对多条位线上的电荷放电。

在另一个方面中，公开了一种存储器系统。存储器系统包括用于存储数据的存储器器件。存储器器件包括存储器单元阵列、多条位线和位线放电电路。存储器单元阵列包括多个存储器单元列。多条位线分别耦合到多个存储器单元列。位线放电电路耦合到多条位线并且包括多个第一晶体管和多个第二晶体管。每个第一晶体管耦合到多条位线中的一条位线和参考电流发生器，以在放电操作中向多条位线中的一条位线提供放电电流。每个第二晶体管耦合到多个第一晶体管中的一个第一晶体管，以使能放电操作。放电操作对多条位线上的电荷放电。

在又一方面中，公开了一种用于操作存储器器件的方法。存储器器件包括具有多个存储器单元列的存储器单元阵列。多条位线分别耦合到多个存储器单元列。对多条位线执行位线放电操作。向多条位线提供放电电流，并且放电电流与恒定电流源匹配。多条位线电耦合到地电压源，以用放电电流对多条位线放电。

附图说明

并入本文并且形成说明书的一部分的附图示出了本公开的方面，并且与描述一起进一步用于解释本公开并且使相关领域的技术人员能够制成和使用本公开。

图1示出了根据本公开的一些方面的具有存储器器件的示例性系统的块图。

图2A示出了根据本公开的一些方面的具有存储器器件的示例性存储器卡的示图。

图2B示出了根据本公开的一些方面的具有存储器器件的示例性固态驱动器(SSD)的示图。

图3示出了根据本公开的一些方面的包括外围电路的示例性存储器器件的示意图。

图4示出了根据本公开的一些方面的包括存储器单元阵列和外围电路的示例性存储器器件的块图。

图5示出了根据本公开的一些方面的包括存储器单元阵列和放电电路的示例性存储器器件的详细块图。

图6示出了根据本公开的一些方面的包括存储器单元阵列和放电电路的另一示例性存储器器件的详细块图。

图7A示出了根据本公开的一些方面的由示例性存储器器件执行的放电操作的时序图。

图7B示出了根据本公开的一些方面的由另一示例性存储器器件执行的放电操作的时序图。

图8示出了根据本公开的一些方面的用于对存储器器件放电的方法的流程图。

图9A和图9B示出了由存储器器件执行的放电操作的时序图。

将参考附图描述本公开。

具体实施方式