[实用新型]等离子体刻蚀设备及其半导体终点检测观察窗装置

说明书

本实用新型公开了一种等离子体刻蚀设备及其半导体终点检测观察窗装置。半导体终点检测观察窗装置，包括光路管以及安装在光路管后端的透明观察窗组件，所述光路管在紧靠着前端的位置处配装有透明活动观察窗承接组件，所述透明活动观察窗承接组件中设置有透明活动观察窗组件；所述的透明活动观察窗组件包括透明活动观察窗，所述透明活动观察窗相对于光路管的透光位置可调。因此，本实用新型解决了频繁停产更换观察窗影响产能的问题。

技术领域

本实用新型涉及一种等离子体刻蚀设备及其半导体终点检测观察窗装置，属于等离子体刻蚀技术领域。

背景技术

半导体设备上，腔室部件上通常会设置一些观察窗用来观察腔室内部的工艺情况。

半导体设备的终点检测是指在干法刻蚀不同于湿法腐蚀（它对下面的材料没有好的选择比）的情况下，需要进行终点检测来监测刻蚀工艺并停止刻蚀以减小对下面材料的过度刻蚀。

终点检测一般设置在半导体腔室真空外部，与腔室间设置透明观察窗，透明观察窗固定于腔室上，且密封真空，腔室内等离子体刻蚀反应发射的辉光透过透明观察窗射到终点检测探头上，终点检测通过气体辉光放电中被激发的原子或分子所发出的光可用光发射谱来分析，从而鉴别出该元素。发射的光通过一个带有允许特殊波长的光通过的带过滤器的探测器，从而鉴别出被刻蚀的材料。在等离子体中，发射光的强度与相关元素的相对浓度有关。根据这一点，终点检测器能检测出什么时候刻蚀材料已被刻完并进行下层材料的刻蚀。

但目前一般的半导体设备腔室在刻蚀进行的过程中会有部分颗粒沉积到透明观察窗上，随着刻蚀的不断的进行，沉积物会越来越多，逐渐影响透过透明观察窗的光强，造成终点检测无法准确判断。

附图1-3公开了一种既有的半导体终点检测观察窗装置，包括光路管001、观察窗固定法兰002、终点检测探头003、终点检测信号线004、终点检测控制器005、半导体干法刻蚀腔室006、密封圈007、透明观察窗008、防压垫009，其中：光路管001枢接到所述半导体干法刻蚀腔室006上，防压垫009用来防止观察窗固定法兰002将透明观察窗008压损，密封圈007用来密封透明观察窗008与光路管001之间的缝隙，终点检测探头003连接到观察窗固定法兰002上，透明观察窗008直接面向腔室的一侧，即图3所示的左侧，会由于半导体干法刻蚀腔室006刻蚀产物不断沉积的原因光强逐渐减弱，从而影响终点检测，使终点检测结果不准确，这样的情况下，就需要停产后半导体干法刻蚀腔室恢复到大气状态，进而开腔拆卸透明观察窗008进行清洗，影响产能。

实用新型内容

本实用新型针对现有技术的不足，提供一种等离子体刻蚀设备及其半导体终点检测观察窗装置，来避免频繁停产更换观察窗，此外在半导体设备恢复大气状态后，一般需要对其他部位刻蚀产物进行清洗或更换，需要停产很长时间，本实用新型所述的半导体终点检测观察窗装置避免了短时间内恢复大气状态更换观察窗的问题，解决了终点检测观察窗短时间内需要更换影响产能的问题。

为实现上述的技术目的，本实用新型将采取如下的技术方案：

一种半导体终点检测观察窗装置，包括光路管以及安装在光路管后端的透明观察窗组件，所述光路管在紧靠着前端的位置处配装有透明活动观察窗承接组件，所述透明活动观察窗承接组件中设置有透明活动观察窗组件；所述的透明活动观察窗组件包括透明活动观察窗，所述透明活动观察窗相对于光路管的透光位置可调。

优选地，所述的透明活动观察窗承接组件包括有承接管；承接管安装在光路管前端并沿着光路管的径向延伸；

所述的透明观察窗组件与透明活动观察窗承接组件之间通过锁定/解锁组件连接成一体；

当透明观察窗组件与透明活动观察窗承接组件处于锁定状态时，所述的透明活动观察窗配装于所述的承接管中；当透明观察窗组件与透明活动观察窗承接组件处于解锁状态时，所述的透明活动观察窗能够沿着光路管中光路的垂向相对于所述的承接管移动，直至透明活动观察窗处于承接管中的目标位置。