[实用新型]一种载流子迁移率高的MOSFET有效
| 申请号： | 202123086106.2 | 申请日： | 2021-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN216354226U | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 毛昊源 | 申请（专利权）人： | 无锡市捷瑞微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 郭慧 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市锡山*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 载流子 迁移率 mosfet | ||
1.一种载流子迁移率高的MOSFET，其特征在于，包括硅衬底，所述硅衬底的顶部设有二氧化硅层，所述二氧化硅层的厚度在50nm～70nm之间，所述硅衬底的顶部的左部和右部分别设有掺杂层，所述掺杂层在所述硅衬底的顶部向下延伸的厚度大于所述二氧化硅层在所述硅衬底的顶部向下延伸的厚度，所述二氧化硅层和掺杂层上设有介电层，所述介电层的厚度在25nm～35nm之间，所述介电层上在所述掺杂层的对应区域开设有接触孔，所述接触孔内设有金属电极，所述金属电极与所述掺杂层电连接，所述介电层的顶部在两所述金属电极之间设有栅极金属层。
2.根据权利要求1所述的一种载流子迁移率高的MOSFET，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度为60nm。
3.根据权利要求1所述的一种载流子迁移率高的MOSFET，其特征在于，所述介电层的厚度为30nm。
4.根据权利要求1所述的一种载流子迁移率高的MOSFET，其特征在于，所述硅衬底的电阻率在10KΩ～20KΩ之间。
5.根据权利要求1所述的一种载流子迁移率高的MOSFET，其特征在于，所述介电层的材质是三氧化二铝，所述介电层的介电常数是8.1。
6.根据权利要求1所述的一种载流子迁移率高的MOSFET，其特征在于，所述栅极金属层的材料是铝。
7.根据权利要求1所述的一种载流子迁移率高的MOSFET，其特征在于，所述硅衬底的晶面指数为110。
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