[实用新型]一种晶圆清洗装置

说明书

本实用新型提供一种晶圆清洗装置，包括：晶圆承载组件，包括第一固定单元及第二固定单元，所述晶圆可处于第一工位和第二工位，在所述第一工位上，所述第一固定单元吸附所述晶圆的背面的中心区域并能够驱动所述晶圆旋转，在所述第二工位上所述第二固定单元吸附所述晶圆的背面的非中心区域，并且所述第二固定单元平移以切换所述晶圆所处的工位；清洗组件，包括第一喷嘴、第二喷嘴及刷具，分别用于向所述晶圆的背面喷射惰性气体、清洗液及刷洗所述晶圆的背面，其中，所述第一喷嘴及所述刷具可沿所述晶圆径向移动，通过晶圆承载组件与清洗组件之间配合，有效地清洁晶圆上的污染颗粒，进一步改善晶圆的散焦现象，从而提高产品良率。

技术领域

本实用新型涉及半导体领域，尤其涉及一种晶圆清洗装置。

背景技术

沉浸式光刻是在纯净水下对光刻胶进行步进式-扫描式曝光，对晶圆水平度要求极高，但由于大量新材料的交替使用，使晶圆背部被颗粒污染的机会增加，这些颗粒夹在工作台与晶圆之间，导致晶圆表面局部凸起。现有的32nm节点技术关键层的聚焦深度只有100nm左右，而20nm节点技术关键层的聚焦深度则只有60nm左右，若凸起的高度超过曝光时的聚焦深度，则会形成坏点，造成焦散现象。通常散焦现象会导致光刻工艺中得到的光阻形貌异常且光阻值异常，从而进一步的导致刻蚀后的图形异常。通常在缺陷检测阶段可以拦截的具有散焦现象的晶圆仅占异常晶圆的20％～30％，其它未被拦截的晶圆会对最终的良率造成不同程度的影响。

为了降低晶圆焦散现象的发生频率，各个光刻机厂商加入了不同的晶圆清洗装置。目前使用较广的晶圆清洗装置主要通过将晶圆背部分成不同的区域，并按顺序使用毛刷和清洗液对晶圆的背部进行清洗，一般情况下，对晶圆背部的中心区域、非中心区域及边缘区域依次进行清洗，最后靠离心力将清洗液甩离晶圆背部。但仅靠毛刷与清洗液无法有效的清除晶圆背部中心区域的颗粒，也无法通过单一甩干的方式清除晶圆背部残留的清洗液与颗粒，造成晶圆背部颗粒的残留，并且这些颗粒会残留在光刻机的样品台上，污染下一个晶圆，进而导致晶圆产生焦散现象等缺陷。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种晶圆清洗装置，以清除晶圆背部的颗粒，降低晶圆的焦散现象。

为了达到上述目的，本实用新型提供了一种晶圆清洗装置，包括：

晶圆承载组件，包括第一固定单元及第二固定单元，所述晶圆可处于第一工位和第二工位，在所述第一工位上，所述第一固定单元吸附所述晶圆的背面的中心区域并能够驱动所述晶圆旋转，在所述第二工位上所述第二固定单元吸附所述晶圆的背面的非中心区域，并且所述第二固定单元平移以切换所述晶圆所处的工位；

清洗组件，包括第一喷嘴、第二喷嘴及刷具，分别用于向所述晶圆的背面喷射惰性气体、清洗液及刷洗所述晶圆的背面，其中，所述第一喷嘴及所述刷具可沿所述晶圆径向移动。

可选的，所述晶圆清洗装置还包括保护组件，所述保护组件包括：

工件台，具有一空腔，所述晶圆承载组件及所述清洗组件均位于所述空腔内；

保护罩，罩在所述空腔上。

可选的，所述第一固定单元包括：

转台，用于承载并驱动所述晶圆旋转；

若干第一真空吸附孔，位于所述转台内，且与第一真空组件连接，以吸附所述晶圆的背面的中心区域。

可选的，所述第一固定单元还包括：

至少三个顶针，所述顶针均匀分布在所述转台的外侧，用于顶起所述晶圆。

可选的，第二固定单元包括：

至少两个承载台，沿所述晶圆的圆心的周向分布，用于承载并带动所述晶圆平移；

若干第二真空吸附孔，位于所述承载台内，且与第二真空组件连接，以吸附所述晶圆的背面的非中心区域。