[实用新型]晶圆清洁装置及晶圆清洁设备

说明书

本实用新型涉及一种晶圆清洁装置及晶圆清洁设备。晶圆清洁装置包括：清洗槽体和阻值监测计。清洗槽体包括：清洗槽、旁流槽以及隔板。旁流槽设置于清洗槽的旁侧。隔板设置于旁流槽和清洗槽之间。隔板上设有多个连通结构，连通结构用于连通清洗槽和旁流槽，以使清洗槽体内的晶圆清洗液在清洗槽和旁流槽之间流通。阻值监测计设置于旁流槽内，用于对晶圆清洗液进行阻值监测。上述晶圆清洁装置能够快速准确地监测晶圆清洗液的阻值，以提升晶圆的清洗效率和清洗良率。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及晶圆清洁装置及晶圆清洁设备。

背景技术

在薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)的制作过程中，通常会选择晶圆作为TFT的承载基板。由于晶圆的洁净度会影响薄膜晶体管的制备质量，所以在晶圆上执行镀膜以及光刻等工艺以制备TFT之前，需要采用酒精、丙酮或异丙醇等化学溶剂对晶圆进行清洗，以去除晶圆表面附着的杂质。

在采用化学溶剂清洗晶圆之后，晶圆的表面容易有化学溶剂及杂质残留，往往需要采用快速倾倒冲洗(Quick Dump Rinse，简称QDR)的方法再次清洗晶圆。在QDR过程中，晶圆清洗液的阻值会在冲洗晶圆的过程中因为残留在晶圆上的化学溶剂和杂质而不断发生变化。由于晶圆清洗液的阻值过大或过小，都会对晶圆的洁净度产生影响。所以在QDR过程中，需要监测清洗槽体内的晶圆清洗液的阻值，以根据阻值监测结果排出阻值异常的晶圆清洗液，并重新向清洗槽体内注入阻值正常的晶圆清洗液，从而确保QDR可以具有良好的清洗效果。

因此，如何快速准确地监测QDR过程中晶圆清洗液的阻值是亟需解决的问题。

实用新型内容

鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种晶圆清洁装置及晶圆清洁设备，旨在解决如何快速准确地监测QDR过程中晶圆清洗液的阻值的问题。

一种晶圆清洁装置，包括：清洗槽体和阻值监测计。清洗槽体包括：清洗槽、旁流槽以及隔板。旁流槽设置于清洗槽的旁侧。隔板设置于旁流槽和清洗槽之间。隔板上设有多个连通结构，连通结构用于连通清洗槽和旁流槽，以使清洗槽体内的晶圆清洗液在清洗槽和旁流槽之间流通。其中，阻值监测计设置于旁流槽内，阻值监测计用于对晶圆清洗液进行阻值监测。

上述晶圆清洁装置中，利用隔板将清洗槽体分隔成清洗槽和旁流槽两个区域，且在隔板上设置多个连通结构，可以使清洗槽体内的晶圆清洗液在清洗槽和旁流槽之间快速流通，以实现晶圆清洗液在清洗槽和旁流槽之间的内循环，从而确保旁流槽内的晶圆清洗液与清洗槽内的晶圆清洗液具有相同的阻值。如此，旁流槽内的阻值监测计监测的阻值，能够准确表征清洗槽内的晶圆清洗液的阻值。晶圆清洁装置采用如上结构，能够对晶圆清洗液的阻值进行快速且准确地监测，以提升晶圆的清洗效率和清洗良率。

可选的，晶圆清洁装置还包括：晶圆台。晶圆台设置于清洗槽内，用于承载晶圆。晶圆台的台面与旁流槽的槽底面位于同一平面。

上述晶圆清洁装置中，晶圆台的台面与旁流槽的槽底面位于同一平面，方便于根据实际需求，设计隔板和连通结构的形状及尺寸，例如使隔板在竖直方向上具有较大的平面面积。

可选的，阻值监测计可拆卸地设置于旁流槽的槽底面上。

由于受残留化学药剂和残留杂质的影响，位于不同深度区域的晶圆清洗液的阻值可能不同。并且，化学药剂和杂质需要一定的时间才能均匀地扩散于晶圆清洗液中。所以位于晶圆台附近的晶圆清洗液的阻值通常略大。基于此，上述晶圆清洁装置中，晶圆台的台面与旁流槽的槽底面位于同一平面，且阻值监测计设置于旁流槽的槽底面上，方便于使旁流槽内的阻值监测计及时监测晶圆台附近阻值略大的晶圆清洗液，以根据晶圆清洗液的阻值判断晶圆台上晶圆的清洗质量(例如洁净度)，从而进一步提升晶圆的清洗效率和清洗良率。