[实用新型]一种外延膜生长设备的基座支撑装置有效

专利信息
申请号: 202121942141.7 申请日: 2021-08-18
公开(公告)号: CN215578490U 公开(公告)日: 2022-01-18
发明(设计)人: 王会会;金補哲;高东铉;李斗成;林保璋 申请(专利权)人: 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司
主分类号: H01L21/687 分类号: H01L21/687;C30B25/12;C30B23/02
代理公司: 上海老虎专利代理事务所(普通合伙) 31434 代理人: 葛瑛
地址: 315100 浙*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 外延 生长 设备 基座 支撑 装置
【说明书】:

实用新型公开了一种外延膜生长设备的基座支撑装置,包括外延膜生长机体,外延膜生长机体的内部安装有下石英钟罩且顶部水平设置有上石英圆盘,外延膜生长机体与上石英圆盘之间对称设置有两组加紧机构,上石英圆盘与下石英钟罩之间形成有加工内腔,加工内腔的内部设置有基座支撑机构,基座支撑机构包括安装于外延膜生长机体底部的旋转电机和安装于旋转电机动力输出端的基座支撑架,基座支撑架由支撑杆和支撑手臂组成,支撑手臂分设有三组且均匀加工成型于支撑杆的顶部。本实用新型对支撑手臂的头部形状进行了改进,弃用了三个支撑销,使得支撑架手臂直接与基座连接,节省了材料,节约了成本,改善了手臂与基座间的固定性能,提高了产品良率。

技术领域

本实用新型涉及外延膜生长设备技术领域,具体为一种外延膜生长设备的基座支撑装置。

背景技术

外延生长技术发展于50年代末60年代初。当时,为了制造高频大功率器件,需要减小集电极串联电阻,又要求材料能耐高压和大电流,因此需要在低阻值衬底上生长一层薄的高阻外延层,这时外延设备便应运而生。在外延设备工艺参数出现问题时,一般地,会在工艺气体流量,工艺温度,基座水平稳定性等方面进行探讨,针对工艺气体流量、工艺温度的调节,只需要在操作界面更改即可,此外,一旦基座水平稳定性出现差错,就需要对基座的支撑装置以及基座水平调节装置进行调整。

然而,现有的外延膜生长设备用基座支撑装置在使用的过程中存在以下的问题:由于基座仅仅是通过三个支撑脚来固定在支撑架上,且支撑脚类似于手榴弹状结构,在基座旋转的过程中,支撑脚会因为长时间与支撑孔摩擦而产生晃动,进而造成基座旋转的不稳定,进一步影响了上面晶圆的薄膜厚度以及其电阻的均匀性,降低了产品良率。为此,需要设计相应的技术方案解决存在的技术问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种外延膜生长设备的基座支撑装置,解决了由于基座仅仅是通过三个支撑脚来固定在支撑架上,且支撑脚类似于手榴弹状结构,在基座旋转的过程中,支撑脚会因为长时间与支撑孔摩擦而产生晃动,进而造成基座旋转的不稳定,进一步影响了上面晶圆的薄膜厚度以及其电阻的均匀性,降低了产品良率,这一技术问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种外延膜生长设备的基座支撑装置,包括外延膜生长机体,所述外延膜生长机体的内部安装有下石英钟罩且顶部水平设置有上石英圆盘,所述外延膜生长机体与上石英圆盘之间对称设置有两组加紧机构,所述上石英圆盘与下石英钟罩之间形成有加工内腔,所述加工内腔的内部设置有基座支撑机构,所述基座支撑机构包括安装于外延膜生长机体底部的旋转电机和安装于旋转电机动力输出端的基座支撑架,所述基座支撑架由支撑杆和支撑手臂组成,所述支撑手臂分设有三组且均匀加工成型于支撑杆的顶部,所述支撑手臂的头部加工成型有分割槽口,所述分隔槽口的两侧分别形成有托杆和插杆,所述基座支撑架的顶部还水平设置有基座本体,所述基座本体的外围均匀开设有三组配合插杆使用的支撑孔,所述插杆的上端穿插于内,所述托杆的上端与基座本体的背面相接触。

作为本实用新型的一种优选实施方式,所述加紧机构从上到下依次设置有上金属夹环、基板和下金属夹环,所述上金属夹环与上石英圆盘相连接,所述下金属夹环与下石英钟罩相连接。

作为本实用新型的一种优选实施方式,位于左侧的所述基板上连接有进气管道,位于右侧的所述基板上连接有排气管道,所述排气管道上安装有气动阀门。

作为本实用新型的一种优选实施方式,所述支撑手臂为两段式结构且包括与支撑杆相连接的斜杆和一体成型于斜杆上端的立杆,所述分隔槽口开设于立杆的顶部。

作为本实用新型的一种优选实施方式,所述支撑杆至立杆端部的水平间距为3.817cm。

作为本实用新型的一种优选实施方式,所述托杆的顶部呈水平状结构,所述插杆的上端呈弧形结构,所述插杆的高度大于托杆的高度且高度差为0.96cm。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司,未经盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202121942141.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top