[实用新型]一种用于硅片自动下料系统真空吸取时的托举平台有效
| 申请号: | 202121541454.1 | 申请日: | 2021-07-07 |
| 公开(公告)号: | CN216354124U | 公开(公告)日: | 2022-04-19 |
| 发明(设计)人: | 上官泉元;庄正军;岳腾腾 | 申请(专利权)人: | 江苏杰太光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687;H01L21/677;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京集智东方知识产权代理有限公司 11578 | 代理人: | 吴倩 |
| 地址: | 225500 江苏省泰州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 硅片 自动 系统 真空 吸取 托举 平台 | ||
本实用新型公开了一种用于硅片自动下料系统真空吸取时的托举平台,包括底座,等间距并列设置在所述底座上的至少一根支撑杆,以及等间距设置在每根所述支撑杆上的至少一个支撑块;单片硅片下方对应的所述支撑块的数量≥1且与对应每片硅片的吸盘的数量和分布位置一一上下对应;所述托举平台通过底部的所述底座安装在顶升机构上。本实用新型用于硅片下料时,单片硅片下方的支撑块数量以及分布位置与硅片抓取支撑板上吸盘的数量和分布位置一一对应,当吸盘与硅片接触进行吸附时,硅片下方的支撑块起到支撑及辅助吸附的作用,从而提高真空吸的效率及稳定性。
技术领域
本实用新型涉及一种自动化设备,特别涉及一种用于硅片自动下料系统真空吸取时的托举平台。
背景技术
太阳能电池制造包括清洗、扩散、镀膜、印刷等工艺流程。镀膜通常需要在真空中完成,其工艺设备主要分为管式和链式两类。对于链式设备,需要将硅片放置在载板上,通过载板把硅片导入工艺设备里完成工艺过程。硅片由上料系统转移至载板上,载板通过滚轮传输到主设备中进行工艺处理后进入下料系统,满载硅片的载板经下料系统的升降、定位机构传送至预定位置后,由硅片抓取装置将载板上的硅片吸走,转移至硅片输送线完成下料,以便进入下一工序。
目前,太阳能电池制造行业中,硅片的自动化下料系统常采用伯努利吸盘完成硅片的吸取动作。在用于硅片抓取的机械手臂上设置吸盘座用于固定伯努利吸盘。在使用时,满载硅片的载板到达预定位置后,通过电机驱动平移、升降机构使机械手臂到达预吸附硅片正上方的吸取位置,随后通过给伯努利吸盘通气将硅片吸起并转移,当机械手到达预定放置位置后,停止对吸盘供气,将所吸附的硅片平稳放置至预定位置,完成下料。伯努利吸附利用高压空气进入真空吸盘芯后经吸盘芯特殊结构的出口喷射出来形成气旋产生负压,从而将硅片吸起。因为气旋是从吸盘中心喷发的高压空气形成的,所以硅片与伯努利吸盘的底面会形成一个气面的悬空距离,这样就达到了非接触式的效果并又吸起了硅片。但面对高产能大尺寸载板时,伯努利吸附的用气量将非常大,喷出的气体会喷射到硅片表面,对气体洁净度要求非常高,否则就会对硅片产生污染,这样就进一步增加了生产成本。
真空吸附是一种利用吸盘内外气压差完成硅片吸取的方式。将真空吸盘固定在机械手臂上,当吸盘与硅片接触后,真空泵可抽出吸盘空腔内的空气形成负压,使空腔内的气体与外界的大气压形成气压差,利用气压差吸住硅片完成吸取转移动作。该方式不需要使用气体,生产成本降低的同时还可避免硅片污染的情况出现。但真空吸附为接触式吸附,吸盘需要与硅片接触后才能完成吸取动作,这就要求硅片要放置非常平整。一般情况下,太阳能镀膜设备工艺腔需要高温,经工艺处理后的硅片在热态下会出现不同程度的翘曲,这对真空吸盘的吸取造成了困难。
实用新型内容
为解决上述技术问题,本实用新型提供了一种用于硅片自动下料系统真空吸取时的托举平台,包括底座,等间距并列设置在所述底座上的至少一根支撑杆,以及等间距设置在每根所述支撑杆上的至少一个支撑块;单片硅片下方对应的所述支撑块的数量≥1且与对应每片硅片的吸盘的数量和分布位置一一上下对应;所述托举平台通过底部的所述底座安装在顶升机构上。
其中,所述支撑杆的长度不小于上方对应载板的宽度,以实现载板托举的作用。
其中,所述支撑块的材质为全低硬度塑料或者在金属等硬质材质表面覆一层低硬度塑料,以避免吸盘吸附过程中,硅片下方所述支撑块对硅片产生摩擦损伤。
其中,所述底座包括至少两根并列设置的主型材,所述支撑杆沿所述主型材的长度方向上并列设置在所述主型材上,以使所述支撑杆与所述主型材垂直设置。
其中,所述底座还包括至少一根副型材,所述副型材与所述支撑杆并列设置在至少两根所述主型材上,以实现所述主型材之间的稳定支撑连接。
通过上述技术方案,本实用新型具有如下有益效果:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





