[实用新型]一种用于硅片自动下料系统真空吸取时的托举平台有效
| 申请号： | 202121541454.1 | 申请日： | 2021-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN216354124U | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 上官泉元;庄正军;岳腾腾 | 申请（专利权）人： | 江苏杰太光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/687;H01L21/677;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集智东方知识产权代理有限公司 11578 | 代理人： | 吴倩 |
| 地址： | 225500 江苏省泰州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 硅片 自动 系统 真空 吸取 托举 平台 | ||
1.一种用于硅片自动下料系统真空吸取时的托举平台，其特征在于，包括底座，等间距并列设置在所述底座上的至少一根支撑杆(13)，以及等间距设置在每根所述支撑杆(13)上的至少一个支撑块；单片硅片(30)下方对应的所述支撑块的数量≥1且与对应每片硅片(30)的吸盘(41)的数量和分布位置一一上下对应；所述托举平台通过底部的所述底座安装在顶升机构上。
2.根据权利要求1所述的一种用于硅片自动下料系统真空吸取时的托举平台，其特征在于，所述支撑杆(13)的长度不小于上方对应载板(20)的宽度，以实现载板(20)托举的作用。
3.根据权利要求1所述的一种用于硅片自动下料系统真空吸取时的托举平台，其特征在于，所述支撑块接触硅片的一侧表面材质为低硬度塑料，以避免吸盘(41)吸附过程中，硅片(30)下方所述支撑块对硅片(30)产生摩擦损伤。
4.根据权利要求1-3任一项所述的一种用于硅片自动下料系统真空吸取时的托举平台，其特征在于，所述底座包括至少两根并列设置的主型材(11)，所述支撑杆(13)沿所述主型材(11)的长度方向上并列设置在所述主型材(11)上，以使所述支撑杆(13)与所述主型材(11)垂直设置。
5.根据权利要求4所述的一种用于硅片自动下料系统真空吸取时的托举平台，其特征在于，所述底座还包括至少一根副型材(12)，所述副型材(12)与所述支撑杆(13)并列设置在至少两根所述主型材(11)上，以实现所述主型材(11)之间的稳定支撑连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
