[实用新型]一种晶圆贴底膜装置有效
申请号: | 202121247637.2 | 申请日: | 2021-06-04 |
公开(公告)号: | CN214848564U | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
发明(设计)人: | 陶为银;巩铁建;蔡正道;鲍占林 | 申请(专利权)人: | 河南通用智能装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 郑州芝麻知识产权代理事务所(普通合伙) 41173 | 代理人: | 乔俊霞 |
地址: | 450000 河南省郑州市高新技术产业*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆贴底膜 装置 | ||
本实用新型公开了一种晶圆贴底膜装置,包括底台、贴膜盘、底膜辊和收卷辊,底台上表面的中部设有贴膜盘,贴膜盘的一侧转动连接有底膜辊,底台远离底膜辊的一端转动连接有收卷辊,底台的两侧均设有阻尼杆,底台通过阻尼杆固定连接有升降框,升降框的内壁滑动连接有贴膜辊,升降框的一侧铰接有顶盖,顶盖的表面转动连接有圆盘,圆盘的表面固定安装有切割机构。本实用新型通过升降框、收卷辊和贴膜辊的设置,可将底膜辊处的底膜拉出并固定至收卷辊处进行固定,而后人员可将蓝膜拉开,而后下压升降框,通过移动贴膜辊将底膜贴在晶圆上,相比现有的两人配合操作,降低了生产劳动力,同时,提升了贴膜的速度。
技术领域
本实用新型涉及晶圆生产技术领域,具体为一种晶圆贴底膜装置。
背景技术
晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种,然后慢慢拉出,形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨,抛光,切片后,形成硅晶圆片,也就是晶圆。目前国内晶圆生产线以8英寸和12英寸为主。晶圆的主要加工方式为片加工和批加工,即同时加工1片或多片晶圆。随着半导体特征尺寸越来越小,加工及测量设备越来越先进,使得晶圆加工出现了新的数据特点。同时,特征尺寸的减小,使得晶圆加工时,空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大,而随着洁净的提高,颗粒数也出现了新的数据特点。
传统的在对晶片进行贴膜时,需两人合作将蓝膜拉开再贴到晶片上,按照晶片的尺寸用刀片将其划下来,这样产能低、效率低,且劳动量大,因此,我们提出了一种晶圆贴底膜装置。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种晶圆贴底膜装置以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种晶圆贴底膜装置,包括底台、贴膜盘、底膜辊和收卷辊,所述底台上表面的中部设有贴膜盘,所述贴膜盘的一侧转动连接有底膜辊,所述底台远离底膜辊的一端转动连接有收卷辊,所述底台的两侧均设有阻尼杆,所述底台通过阻尼杆固定连接有升降框,所述升降框的内壁滑动连接有贴膜辊,所述升降框的一侧铰接有顶盖,所述顶盖的表面转动连接有圆盘,所述圆盘的表面固定安装有切割机构。
优选的,所述贴膜辊包括滑道、安装架和转筒,所述滑道位于升降框的内壁,所述滑道的一侧滑动连接有安装架,所述安装架的底部转动连接有转筒。
优选的,所述切割机构包括支撑架、连接杆、螺纹杆、转动杆、主动齿轮、从动齿轮、滑动块和切割刀,所述支撑架的顶部固定连接有连接杆,所述连接杆远离支撑架的一端与圆盘固定连接,所述支撑架的底部转动连接有螺纹杆,所述螺纹杆的中部固定连接有从动齿轮,所述从动齿轮的一侧啮合有主动齿轮,所述主动齿轮的中心处固定连接有转动杆,所述螺纹杆的两端均螺纹连接有滑动块,所述滑动块的底部设有切割刀。
优选的,所述支撑架的表面设有刻度,所述滑动块靠近支撑架的一侧设有指示箭头,所述连接杆远离支撑架的一端设有摇把。
优选的,所述贴膜盘的两侧均开设有适配槽,所述适配槽与升降框相适配。
优选的,所述转筒的长度大于贴膜盘的直径,所述转筒的表面材质为橡胶材质。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
1、本实用新型通过升降框、收卷辊和贴膜辊的设置,可将底膜辊处的底膜拉出并固定至收卷辊处进行固定,而后人员可将蓝膜拉开,而后下压升降框,通过移动贴膜辊将底膜贴在晶圆上,相比现有的两人配合操作,降低了生产劳动力,同时,提升了贴膜的速度。
2、本实用新型通过顶盖和切割机构的设置,当底膜贴在晶圆上后,将顶盖关闭,并转动切割机构,通过切割机构将晶圆边缘多余的底膜切下,从而可有效的代替人工切割底膜,提升了生产效率。
附图说明
图1为本实用新型整体的立体结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造