[实用新型]一种PERC电池多层膜层制备设备有效
申请号: | 202120791404.2 | 申请日: | 2021-04-16 |
公开(公告)号: | CN214477355U | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 顾生刚;时宝;张笛;周建科;杨联赞;刘海金;韩雅楠;杨永平;李吉;陈刚 | 申请(专利权)人: | 天津爱旭太阳能科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 44333 | 代理人: | 贾振勇 |
地址: | 300400 天津市北辰区天津北辰*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 perc 电池 多层 制备 设备 | ||
本实用新型适用于太阳能电池领域,提供了一种PERC电池多层膜层制备设备,包括依次通过阀门进行通道连接的五个连接腔室、设于各个连接腔室内的滚轮组、及在滚轮组上进行移动的用于装载硅片的镂空载板,镂空载板及硅片作为制备设备的其中一个电极;各个连接腔室分别设有抽气装置、进气装置、以及加热装置;其中五个连接腔室依次包括进料腔室、第一沉积腔室、第二沉积腔室、第三沉积腔室、及出料腔室。本实用新型中提供的PERC电池多层膜层制备设备,解决了现有PERC电池正背表面镀多种膜层时需要频繁上下料所导致的硅片污染、隐裂、碎片的问题。
技术领域
本实用新型属于太阳能电池技术领域,尤其涉及一种PERC电池多层膜层制备设备。
背景技术
目前的PERC电池技术在湿法刻蚀之后,经退火工序制备正面氧化硅层,经PERC工序制备背面氧化铝层,叠加背面氮化硅层,经PECVD工序制备正面氮化硅层,因此其三道工序需三套设备,工序之间需上料三次,下料三次。
然而由于目前的技术在电池正背表面镀多种膜层需经过三道工序,三套设备,同时中间工序需上料三次下料三次,其需要使用吸笔加机械手的方式抓取硅片,使得容易造成硅片脏污、隐裂、及碎片;同时硅片多次暴露在空气中导致硅片与膜层之间存在污染,使得降低PERC电池的效率;同时硅片在设备与设备之间运输需要载具,AGV小车进行搬运,使得增加工装设备而导致增加成本。
实用新型内容
本实用新型实施例的目的在于提供一种PERC电池多层膜层制备设备,旨在解决现有的问题。
本实用新型实施例是这样实现的,一种PERC电池多层膜层制备设备,包括:
依次通过阀门进行通道连接的五个连接腔室、设于各个连接腔室内的滚轮组、及在所述滚轮组上进行移动的用于装载硅片的镂空载板,所述镂空载板及硅片作为制备设备的其中一个电极;
各个连接腔室分别设有抽气装置、进气装置、以及加热装置;
其中五个连接腔室依次包括进料腔室、第一沉积腔室、第二沉积腔室、第三沉积腔室、及出料腔室;
所述进料腔室用于进行抽真空和退火,所述第一沉积腔室用于对所述硅片的正面进行氧化硅层沉积,所述第二沉积腔室用于对所述硅片的背面进行氧化铝层及氮化硅层沉积,所述第三沉积腔室用于对所述硅片的正面进行氮化硅层沉积,所述出料腔室用于由真空过渡至常压、及由沉积温度过渡至室温。
更进一步的,所述镂空载板为石墨框,所述石墨框镂空出对应所述硅片大小的漏斗形的窗口,所述硅片的边缘装载在所述石墨框的镂空边缘之上时,所述硅片的上表面和下表面均露出在空气中。
更进一步的,所述石墨框的厚度为5-200mm,长度为100-2000mm,宽度为100-2000mm。
更进一步的,所述第一沉积腔室的上顶面设有第一石墨板电极,所述第二沉积腔室的下底面设有第二石墨板电极,所述第三沉积腔室的上顶面设有第三石墨板电极。
更进一步的,所述第一石墨板电极、所述第二石墨板电极、及所述第三石墨板电极与所述镂空载板之间的间距均为10-300mm。
更进一步的,所述第一沉积腔室中的进气装置用于分别通入硅烷和笑气,所述第二沉积腔室中的进气装置用于分别通入三甲基铝、笑气、硅烷和氨气,所述第三沉积腔室中的进气装置用于分别通入硅烷和氨气。
更进一步的,所述滚轮组中设有驱动其转动的电机。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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