[实用新型]电子器件以及半导体器件

权利要求书

1.一种电子器件，其特征在于，包括：

肖特基二极管，其包括：

具有第一导电性类型的SiC的实心主体；

在所述实心主体的第一侧处的注入区域，所述注入区域包括不同于所述第一导电性类型的第二导电性类型的掺杂剂种类物，所述注入区域在所述实心主体中从所述第一侧开始在深度上延伸，并且所述注入区域具有与所述实心主体的所述第一侧共面的顶表面；以及

欧姆接触区域，所述欧姆接触区域包括具有石墨烯、石墨、或石墨烯和石墨的组合的一个或多个富碳层，并且所述欧姆接触区域在所述注入区域中延伸。

2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述欧姆接触区域包括所述一个或多个富碳层，所述一个或多个富碳层从所述实心主体的所述第一侧开始仅在所述注入区域内延伸。

3.根据权利要求2所述的电子器件，其特征在于，所述欧姆接触区域具有与所述注入区域的所述顶表面一致的自己的顶表面。

4.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述欧姆接触区域具有在1nm与20nm的范围中的厚度。

5.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述实心主体的材料是来自以下项中的一项：4H-SiC、6H-SiC、3C-SiC、以及15R-SiC。

6.一种半导体器件，其特征在于，包括：

碳化硅衬底；

在第一导电类型的所述碳化硅衬底上的有源层，所述有源层包括表面；

在所述有源层中的第一注入区域，所述第一注入区域具有不同于所述第一导电性类型的第二导电性类型，所述第一注入区域包括：

第一表面；以及

包括碳的第一欧姆接触，所述第一欧姆接触在所述第一表面与所述碳化硅衬底之间；

在所述有源层中的第二注入区域，与所述第一注入区域间隔开，所述第二注入区域具有所述第二导电性类型，并且包括：

第二表面；以及

包括碳的第二欧姆接触，所述第二欧姆接触在所述第二表面与所述碳化硅衬底之间，所述第二表面与所述第一表面共面并且与所述有源层的表面共面。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第一注入区域包括第一边缘和第二边缘，所述第一欧姆接触具有与所述第一边缘一致的第三边缘以及与所述第二边缘一致的第四边缘。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

第一电极，被形成在所述有源层的表面上，并且与所述有源层的表面以及所述第一注入区域和所述第二注入区域的所述第一表面和所述第二表面接触；

第二电极，在所述碳化硅衬底上，并且通过所述有源层与所述第一电极间隔开；以及

钝化层，在所述第一电极上，所述钝化层包括从所述第一注入区域延伸到所述第二注入区域的开口。

9.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第一欧姆接触和所述第二欧姆接触包括石墨烯、石墨、或石墨烯和石墨的组合的层。