[实用新型]晶圆载片盒有效
| 申请号: | 202120729577.1 | 申请日: | 2021-04-09 |
| 公开(公告)号: | CN214848530U | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
| 发明(设计)人: | 姜浩;周源;张志文 | 申请(专利权)人: | 北京燕东微电子科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
| 代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 晶圆载片盒 | ||
本实用新型公开了一种晶圆载片盒,以解决现有的晶圆载片盒在晶圆加工过程中对其正反面的朝向具有不同需求时,不得不进行人工倒片所带来的问题。该晶圆载片盒包括用于容置晶圆的盒体,盒体包括两个侧板,两个侧板的内侧对称设置有多个限片齿,相邻两个限片齿之间形成用于固定晶圆的限位槽;两个侧板之间设置有两个安装件,以形成一供晶圆置入和取出的取放口;两个安装件互相对称,且安装件能够与加工设备的载片台相适配以将盒体固定于载片台上。本实用新型提供的晶圆载片盒,避免了费工耗时的倒片操作,提高了生产效率,还避免了倒片过程中可能对晶圆造成的损伤。
技术领域
本实用新型属于半导体器件和集成电路生产制造技术领域,具体涉及一种晶圆载片盒。
背景技术
晶圆是指制作半导体器件和集成电路初期所用的圆形晶片,其原始材料包括硅、碳化硅、砷化镓、氮化硅、氮化铝等。以硅晶圆为例,高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种,然后慢慢拉出,形成圆柱形的单晶硅棒。单晶硅棒再经过外径研磨、切片、圆边、表面抛光等处理后形成硅晶圆。在将晶圆加工成半导体器件和集成电路的过程中,需要用于承载晶圆的容器,即晶圆载片盒(也被称为承载盒、晶圆片盒等),以进行晶圆的临时存储和转移。
目前半导体器件和集成电路的加工制程,一般是先完成晶圆正面工艺,再进行晶圆背面工艺。以绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)为例,晶圆正面工艺一般包括正面光刻、正面刻蚀、正面离子注入、正面退火、正面氧化、正面沉积等,晶圆背面工艺一般包括正面贴膜、背面减薄、清洗、揭膜、背面离子注入、背面退火、背面金属化等。在上述不同工艺制程中,根据加工工序和加工设备的不同,有时需要将晶圆正面作为加工面、有时则需要将晶圆背面作为加工面,所以需对晶圆的正背面朝向进行调换。即使是在同一晶圆面的加工工艺中,有的加工设备需要晶圆正面朝向载片台,而有的加工设备则需要晶圆背面朝向载片台。
目前通用的晶圆载片盒一般包括平行于晶圆的两个板,其中一个板为平板,面积相对较大,用以防止净化间中的微小颗粒落到晶圆上,另一个板为安装板,其面积相对较小,且外侧设有凸起结构,以能够与载片台相适配而将晶圆载片盒固定于加工设备上。在正面工艺中,一般要求将晶圆的正面朝向平板放置;而在背面工艺中,则需要根据实际加工要求设置晶圆正反面在晶圆载片盒中的朝向。如果前后两个加工设备对晶圆正反面的朝向有不同的要求,则在将晶圆载片盒从前一加工设备中取出后,需将其中的晶圆逐一取出并翻转180度后再放回到载片盒中(业内俗称“倒片”),实现晶圆正反面的翻转,然后再送入下一加工设备中。这样不仅影响生产效率,而且取放和翻转晶圆的过程中也容易损伤晶圆,特别是经过减薄的晶圆,极易在倒片过程中发生碎裂,造成浪费。
实用新型内容
鉴于上述问题,本实用新型提供一种晶圆载片盒,通过翻转该晶圆载片盒即可实现晶圆正反面的批量切换,在提高加工效率的同时有效避免了晶圆碎裂。
为实现上述目的,本实用新型提供的晶圆载片盒,包括用于容置晶圆的盒体,盒体包括两个侧板,两个侧板的内侧对称设置有多个限片齿,相邻两个限片齿之间形成用于固定晶圆的限位槽;两个侧板之间设置有两个安装件,以形成一供晶圆置入和取出的取放口;两个安装件互相对称,且安装件能够与加工设备的载片台相适配以将盒体固定于载片台上。
进一步地,前述安装件包括两个对称设置的连接板;连接板的一侧与对应的侧板连接,另一侧向外翻折而形成翻折部;两个连接板的翻折部之间连接有中间板,中间板外侧设有凸板;凸板垂直于中间板和翻折部。
进一步地,翻折部包括相连接的第一翻折边和第二翻折边;第一翻折边与第二翻折边之间呈钝角设置;第一翻折边相对更靠近开口,且从取放口至中间板的方向,两个第一翻折边之间的距离逐步减小。
进一步地,限位槽在侧板的内侧均匀分布,且限位槽的数量不超过20个。
进一步地,位于相邻限位槽内的晶圆之间的距离不小于10mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





