[实用新型]一种无框架超薄正面引出TVS芯片封装结构

说明书

本实用新型提出一种无框架超薄正面引出TVS芯片封装结构，包括芯片、引线、导电胶层、框架及封装体，芯片为横向结构，其引出电极位于芯片的正面，引线设有一对，并分别键合于芯片的引出电极上，导电胶层的内端粘接于铜线末端，框架设有一对，各框架与导电胶层的外端粘接，封装体包裹于芯片、引线、导电胶层及框架外部，框架末端从封装体中露出；引线采用铜线充任，并通过热声焊接键合于芯片的引出电极上；导电胶层采用导电银胶成型；封装体采用环氧树脂模塑料成型。采用该封装结构封装的芯片不再是纵向的结构，而是横向结构，电性连接都在晶圆的正面，具有简化工艺流程，提高生产效果，降低成本的作用，同时可以最大地发挥芯片性能。

技术领域

本实用新型涉及瞬态电压抑制器，尤其涉及一种无框架超薄正面引出TVS芯片封装结构。

背景技术

封装是把硅片上的电路管脚用导线接引到外部接头处，以便与其它器件连接，不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接，从而实现内部芯片与外部电路的连接。目前封装瞬态电压抑制器(TVS)产品的芯片时候上下纵向结构的，需要对芯片的正面和背面同时进行电性连接，封装工艺较为复杂，例如减薄背金是一个工艺比较难控制的环节，容易造成碎片和背金脱落，打线需要专业的打线设备，由于打线要求精度非常高，所以设备非常昂贵，总体效率也不高，使得生产效率低，成本高。因此，有必要对这种TVS芯片进行结构优化，以克服上述缺陷。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种无框架超薄正面引出TVS芯片封装结构，以降低生产成本，提高生产效率。

本实用新型为解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种无框架超薄正面引出TVS芯片封装结构，包括：

芯片，该芯片为横向结构，其引出电极位于芯片的正面；

引线，该引线设有一对，并分别键合于芯片的引出电极上；

导电胶层，该导电胶层的内端粘接于铜线末端；

框架，该框架设有一对，各框架与导电胶层的外端粘接；

封装体，该封装体包裹于芯片、引线、导电胶层及框架外部，框架末端从封装体中露出。

具体地，引线采用铜线充任，并通过热声焊接键合于芯片的引出电极上。

进一步，导电胶层采用导电银胶成型。

进一步，封装体采用环氧树脂模塑料成型。

本实用新型的优点在于：

采用该封装结构封装的芯片不再是纵向的结构，而是横向结构，电性连接都在晶圆的正面，具有简化工艺流程，提高生产效果，降低成本的作用，同时可以最大地发挥芯片性能。

附图说明

图1是本实用新型提出的无框架超薄正面引出TVS芯片封装结构的结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本实用新型实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本实用新型的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围，而是仅仅表示本实用新型的选定实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。