[实用新型]一种低阈值电压SiC圆形栅VDMOSFET功率器件有效
| 申请号： | 202120317492.2 | 申请日： | 2021-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN214378458U | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 施广彦;李昀佶 | 申请（专利权）人： | 泰科天润半导体科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/06;H01L29/16 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 林燕 |
| 地址： | 100000 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阈值 电压 sic 圆形 vdmosfet 功率 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种低阈值电压SiC圆形栅VDMOSFET功率器件，其特征在于：包括纵向自下而上的漏极、N型重掺衬底层、N型轻掺外延层、P型阱区、源极和栅极；
所述栅极为圆形；整个栅极呈圆柱形，其除顶部外均被高k介质包围；
所述P型阱区上设有介质槽，所述介质槽纵向深度小于P型阱区深度；
所述源极以及漏极均设于所述介质槽内。
2.如权利要求1所述的一种低阈值电压SiC圆形栅VDMOSFET功率器件，其特征在于：所述源极为环形结构，所述栅极设于所述源极内。
3.如权利要求1所述的一种低阈值电压SiC圆形栅VDMOSFET功率器件，其特征在于：所述介质槽内设有突起部，所述栅极底部连接至所述突起部。
4.如权利要求3所述的一种低阈值电压SiC圆形栅VDMOSFET功率器件，其特征在于：所述源极为环形结构，且其内侧底部水平向内凸起形成凸起部；所述凸起部连至所述突起部外侧，且所述凸起部上表面连接至所述栅极底部。
5.如权利要求1所述的一种低阈值电压SiC圆形栅VDMOSFET功率器件，其特征在于：所述栅极的介质相等。
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