[实用新型]一种低空洞率的倒装LED芯片

说明书

本实用新型公开了一种低空洞率的倒装LED芯片，所述倒装LED芯片包括衬底、设于衬底上的发光结构、设于发光结构上的电极，还包括设于电极上的焊接层、以及设于焊接层上的点测接触层；所述焊接层为叠层结构，包括多层Sn/Au叠层；或者，所述焊接层为叠层结构，包括多层Sn/AuSn叠层；或者，所述焊接层为叠层结构，包括多层AuSn层。本实用新型的倒装LED芯片，空洞率低，良率高。

技术领域

本实用新型涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种低空洞率的倒装LED芯片。

背景技术

倒装LED芯片凭借其具有良好的散热性能、电流分布均匀、高可靠性、高光效等突出特点，被广泛地应用于车用照明、家用照明、背光显示等领域。

倒装LED芯片在封装应用时普遍使用AuSn共晶焊接技术，无需打线固晶，大大降低了封装时间与成本；但是其对共晶焊接工艺要求较高，对封装基板的选择、平整度、制作工艺的要求也很高，同时也对AuSn共晶焊接的焊料层金属制备工艺提出了更高的要求。

此外，倒装LED芯片使用AuSn共晶焊接技术焊接在封装基板上，会产生较高的空洞率(不良率)，空洞率是指芯片焊盘电极金属与封装基板之间的焊接粘附效果，通过X-Ray扫描焊接粘附区域，若全部显示黑色，则焊接粘附效果好，空洞率小，良率高；若焊接粘附区域的局部区域表现为白色(如图1所示)，则对应产生空洞情况，白色的区域越多，空洞率越高，良率越低；其中，空洞率等于白色区域与焊接粘附总区域的比例。

其中，空洞率不仅受芯片焊盘电极金属及其工艺的影响，也受封装工艺的影响。一般各封装厂家对芯片的空洞率控制在15％以下，视为合格。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种低空洞率的倒装LED芯片，其空洞率低，良率高。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种低空洞率的倒装LED芯片，包括衬底、设于衬底上的发光结构、设于发光结构上的电极，还包括设于电极上的焊接层、以及设于焊接层上的点测接触层；所述焊接层为叠层结构，包括多层Sn/Au叠层；或者，所述焊接层为叠层结构，包括多层Sn/AuSn叠层；或者，所述焊接层为叠层结构，包括多层AuSn层。

作为上述方案的改进，Sn/Au叠层中Sn的厚度为0.2～0.4μm，Au的厚度为1～1.5μm。

作为上述方案的改进，Sn/AuSn叠层中Sn的厚度为0.15～0.35μm，AuSn的厚度为1.05～1.55μm。

作为上述方案的改进，所述焊接层包括3～10层AuSn层。

作为上述方案的改进，所述焊接层包括3层AuSn层，其中，第一层为Au_0.75Sn_0.25，第二层为Au_0.8Sn_0.2，第三层为Au_0.85Sn_0.15，第一层Au_0.75Sn_0.25设置在电极上，第二层Au_0.8Sn_0.2设置在第一层Au_0.75Sn_0.25上，第三层Au_0.85Sn_0.15设置在第二层Au_0.8Sn_0.2上。

作为上述方案的改进，所述点测接触层的材料选自金或铂，其厚度为30～70nm。

作为上述方案的改进，所述发光结构包括设于衬底上的外延层、设于外延层上的透明导电层、设于透明导电层上的反射层、以及设于反射层和外延层上的保护层，其中，所述外延层包括设于衬底上的第一半导体层、设于第一半导体层上的有源层、以及设于有源层上的第二半导体层。

作为上述方案的改进，所述反射层包括Ag层和Ag保护层，所述Ag保护层覆盖在Ag层上。