[实用新型]一种低空洞率的倒装LED芯片有效
| 申请号： | 202120078301.1 | 申请日： | 2021-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN214411241U | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 范凯平;旷明胜;徐亮;仇美懿;何俊聪 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/64 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫;李素兰 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 空洞 倒装 led 芯片 | ||
1.一种低空洞率的倒装LED芯片，包括衬底、设于衬底上的发光结构、设于发光结构上的电极，其特征在于，还包括设于电极上的焊接层、以及设于焊接层上的点测接触层；所述焊接层为叠层结构，包括多层Sn/Au叠层；或者，所述焊接层为叠层结构，包括多层Sn/AuSn叠层；或者，所述焊接层为叠层结构，包括多层AuSn层。
2.如权利要求1所述的低空洞率的倒装LED芯片，其特征在于，Sn/Au叠层中Sn的厚度为0.2～0.4μm，Au的厚度为1～1.5μm。
3.如权利要求1所述的低空洞率的倒装LED芯片，其特征在于，Sn/AuSn叠层中Sn的厚度为0.15～0.35μm，AuSn的厚度为1.05～1.55μm。
4.如权利要求1所述的低空洞率的倒装LED芯片，其特征在于，所述焊接层包括3～10层AuSn层。
5.如权利要求4所述的低空洞率的倒装LED芯片，其特征在于，所述焊接层包括3层AuSn层，其中，第一层为Au0.75Sn0.25，第二层为Au0.8Sn0.2，第三层为Au0.85Sn0.15，第一层Au0.75Sn0.25设置在电极上，第二层Au0.8Sn0.2设置在第一层Au0.75Sn0.25上，第三层Au0.85Sn0.15设置在第二层Au0.8Sn0.2上。
6.如权利要求1所述的低空洞率的倒装LED芯片，其特征在于，所述点测接触层的材料选自金或铂，其厚度为30～70nm。
7.如权利要求1所述的低空洞率的倒装LED芯片，其特征在于，所述发光结构包括设于衬底上的外延层、设于外延层上的透明导电层、设于透明导电层上的反射层、以及设于反射层和外延层上的保护层，其中，所述外延层包括设于衬底上的第一半导体层、设于第一半导体层上的有源层、以及设于有源层上的第二半导体层。
8.如权利要求7所述的低空洞率的倒装LED芯片，其特征在于，所述反射层包括Ag层和Ag保护层，所述Ag保护层覆盖在Ag层上。
9.如权利要求8所述的低空洞率的倒装LED芯片，其特征在于，所述Ag保护层的材料选自Ti、W、Al、Ni、Pt中的一种金属。
10.如权利要求7所述的低空洞率的倒装LED芯片，其特征在于，所述电极包括第一电极和第二电极，所述第一电极贯穿保护层并设置在第一半导体层上，所述第二电极贯穿保护层和反射层并设置在透明导电层上；
其中，所述第一电极和第二电极为等大电极，且高度在同一水平面上。
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