[发明专利]一种导电银浆及其制备方法和应用在审
| 申请号: | 202111675463.4 | 申请日: | 2021-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN114334214A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
| 发明(设计)人: | 颜廷楠;王大伟;赵健伟;孙蓉 | 申请(专利权)人: | 深圳先进电子材料国际创新研究院 |
| 主分类号: | H01B1/16 | 分类号: | H01B1/16;H01B1/22;H01B13/00 |
| 代理公司: | 北京市诚辉律师事务所 11430 | 代理人: | 范盈;李玉娜 |
| 地址: | 518103 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 导电 及其 制备 方法 应用 | ||
本发明公开了一种导电银浆及其制备方法和应用。导电银浆按照质量百分比计,包括SiO2‑B2O3‑SrO‑AlF3玻璃粉0.01~4wt.%、银粉80~85wt.%和有机载体14~16wt.%。本发明提供的导电银浆以无铅硼硅玻璃作为促烧剂,提升导电银浆的导电性能;调整无铅硼硅玻璃粉与银粉的组分比例和玻璃粉的粒径,提高烧结后的致密化程度;本发明提供的导电银浆,采用最佳组分比例的无铅硼硅玻璃粉,实现了良好的促烧效果,且烧结后无残留。本发明提供的导电银浆,以兼容性好的玻璃粉,制备出晶粒大、结晶度好的银电极,消除银晶粒内部的位错,从而大幅提升银电极的导电性。
技术领域
本发明涉及片式和集成无源元件技术技术领域,尤其涉及一种导电银浆及其制备方法和应用。
背景技术
随着通讯的高频化,陶瓷封装基板、陶瓷电子元器件的应用量开始大幅增加。由于陶瓷具有极低的介电损耗,因此线路电阻成为了电信号传输过程中导致损耗的主要原因。在实际应用中,必须降低线路电阻从而提升组件品质。基板高的封装密度需要更细的线路,为了在不增加线宽的前提下降低线路电阻,则需要降低布线电极的电阻率。银作为电阻率最低的金属被广泛应用于陶瓷金属化。现有技术,通过改进银粉质量、添加促烧剂以及调节烧结工艺等方法降低银电极电阻率。但是,经过上述工艺优化的银电极,电极的方阻(≈2.5mΩ/sq,电极厚度10μm)也很难接近块体银的理论值1.65×10-6Ω·m(电极厚度10μm)。由此可见,设计效果更加优异的促烧剂,更近一步提升银电极的电导率在实际应用过程中意义重大。
低软化点玻璃是一种性质稳定的促烧剂,但是玻璃的电阻率极大。因此,可以在银浆中添加少量的玻璃,一方面少量的玻璃不会明显降低银电极电导率,另一方面又可以大幅提升银电极致密化程度,从而起到降低银电极电阻率的效果。本发明设计了合适的玻璃粉,玻璃的促烧效果极佳,从而得到了致密化程度极高的银电极,并且银电极内部几乎不残余玻璃。添加合适量的玻璃粉后,银浆900℃烧结30min形成的电极电阻率极低仅为1.75×10-6Ω·m。
发明内容
针对上述技术问题,本发明提供一种导电银浆及其制备方法和应用,为,本发明通过调整组分及其配比设计出促烧性能好的SiO2-B2O3-SrO-AlF3玻璃粉,以提升银电极的电导率,并通过调整银粉和玻璃粉的比例以及玻璃粉的粒径,最终得到致密程度极高且导电性好的银电极。
为实现上述目的,本发明采取的技术方案为:
本发明第一方面提供一种导电银浆,按照质量百分比计,包括SiO2-B2O3-SrO-AlF3玻璃粉0.01~4wt.%、银粉80~85wt.%和有机载体14~16wt.%。
在某些具体的实施方式中,所述SiO2-B2O3-SrO-AlF3玻璃粉的质量百分比为0.01wt.%、0.1wt.%、1wt.%、2wt.%、3wt.%、4wt.%或它们之间的任意百分比;
在某些具体的实施方式中,所述银粉的质量百分比为80wt.%、81wt.%、82wt.%、83wt.%、84wt.%、85wt.%或它们之间的任意百分比;
在某些具体的实施方式中,所述有机载体的质量百分比为14wt.%、14.5wt.%、15.0wt.%、15.5wt.%、16.0wt.%或它们之间的任意百分比;
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