[发明专利]一种晶圆等离子清洗装置及晶圆加工设备

说明书

本发明涉及晶圆清洗装置设备技术领域，具体涉及一种晶圆等离子清洗装置及晶圆加工设备。晶圆等离子清洗装置包括：清洗腔体，其一个侧面敞口以适于晶圆进出，清洗腔体外侧设有适于固定在EFEM区的安装部；多个电极板，固定于清洗腔体内且每个电极板皆水平布置，多个电极板间隔分布且相邻电极板的极性相反，电极板的上表面设有一组支撑块，每组支撑块适于支撑一个晶圆，支撑块由非金属材质制成，支撑块的支撑面与对应电极板的上表面之间形成适于EFEM机械手取放料的间隙；自动式插板阀，安装在清洗腔体敞口的侧面，且适于控制清洗腔体的开闭。本发明提供的晶圆等离子清洗装置，能够提高晶圆的清洗效率，同时避免晶圆受到二次污染。

技术领域

本发明涉及晶圆清洗装置技术领域，具体涉及一种晶圆等离子清洗装置及晶圆加工设备。

背景技术

晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。晶圆在完成工艺加工后，表面仍会附着微量污染物(包括SiO₂、Al₂O₃、抛光液有机物等颗粒物)，需要通过清洗加以去除。其中，等离子清洗技术以其清洗效果上的绝对优势脱颖而出。

现有晶圆等离子清洗技术，受限于设备在工厂的占地面积要求，皆将等离子清洗装置放置在主机台内部以减小占地。等离子清洗装置受限于主机台的框架结构设计及器件布局，尺寸设计较小，只能满足同时清洗1～2片晶圆的要求，清洗效率低。另外，现有晶圆等离子清洗装置的真空腔主要采用手动开关，无法有效的确保晶圆制造工艺的洁净度要求，清洗完成后容易对晶圆造成二次污染。

发明内容

因此，本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中晶圆等离子清洗装置清洗效率低且易对晶圆造成二次污染的缺陷，从而提供一种清洗效率高且能避免晶圆二次污染的晶圆等离子清洗装置及晶圆加工设备。

本发明提供的晶圆等离子清洗装置，包括：

清洗腔体，其一个侧面敞口以适于晶圆进出，所述清洗腔体外侧设有适于固定在EFEM区的安装部；

多个电极板，固定于所述清洗腔体内且每个电极板皆水平布置，多个电极板间隔分布且相邻电极板的极性相反，所述电极板的上表面设有一组支撑块，每组支撑块适于支撑一个晶圆，所述支撑块由非金属材质制成，所述支撑块的支撑面与对应电极板的上表面之间形成适于EFEM机械手取放料的间隙；

自动式插板阀，安装在所述清洗腔体敞口的侧面，且适于控制所述清洗腔体的开闭。

可选的，每组支撑块的数量≥3，且分别适于支撑在晶圆的不同边缘位置，所述支撑块的上表面设有适于定位晶圆的台阶。

可选的，所述台阶的阶梯面为水平面，所述阶梯的阶梯侧面为倾斜面和竖直面的组合面，所述竖直面的下端与所述水平面相接，所述竖直面的上端与所述倾斜面的下端相接，且所述倾斜面的上端向远离所述阶梯面的方向延伸。

可选的，所述水平面与对应电极板的上表面之间的距离≥10mm。

可选的，每组支撑块设有四个，所述支撑块通过紧固件固定在所述电极板上。

可选的，所述电极板与所述清洗腔体的内侧壁之间通过绝缘条相隔。

可选的，所述电极板的表面镀有非金属膜。

可选的，还包括：

第一条形导电板，竖直固定在所述清洗腔体内，且与同种极性的所有电极板连接；

第二条形导电板，竖直固定在所述清洗腔体内，且与同种极性的所有电极板相接，且第二条形导电板与第一条形导电板分别连接于不同极性的电极板。

本发明提供的晶圆加工设备，包括：

主机台；

EFEM区，适于实现晶圆的自动上下料；