[发明专利]一种晶圆等离子清洗装置及晶圆加工设备在审
申请号: | 202111665372.2 | 申请日: | 2021-12-31 |
公开(公告)号: | CN114308905A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 司马超;尹影;庞浩;刘晓亮 | 申请(专利权)人: | 北京烁科精微电子装备有限公司 |
主分类号: | B08B7/00 | 分类号: | B08B7/00;B08B13/00;H01L21/02;H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 王艺涵 |
地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 等离子 清洗 装置 加工 设备 | ||
1.一种晶圆等离子清洗装置,其特征在于,包括:
清洗腔体(1),其一个侧面敞口以适于晶圆进出,所述清洗腔体(1)外侧设有适于固定在EFEM区(6)的安装部(11);
多个电极板(2),固定于所述清洗腔体(1)内且每个电极板(2)皆水平布置,多个电极板(2)间隔分布且相邻电极板(2)的极性相反,所述电极板(2)的上表面设有一组支撑块(3),每组支撑块(3)适于支撑一个晶圆,所述支撑块(3)由非金属材质制成,所述支撑块(3)的支撑面与对应电极板(2)的上表面之间形成适于EFEM机械手(7)取放料的间隙;
自动式插板阀(4),安装在所述清洗腔体(1)敞口的侧面,且适于控制所述清洗腔体(1)的开闭。
2.根据权利要求1所述的晶圆等离子清洗装置,其特征在于,每组支撑块(3)的数量≥3,且分别适于支撑在晶圆的不同边缘位置,所述支撑块(3)的上表面设有适于定位晶圆的台阶。
3.根据权利要求2所述的晶圆等离子清洗装置,其特征在于,所述台阶的阶梯面(31)为水平面,所述阶梯的阶梯侧面(32)为倾斜面和竖直面的组合面,所述竖直面的下端与所述水平面相接,所述竖直面的上端与所述倾斜面的下端相接,且所述倾斜面的上端向远离所述阶梯面(31)的方向延伸。
4.根据权利要求3所述的晶圆等离子清洗装置,其特征在于,所述水平面与对应电极板(2)的上表面之间的距离≥10mm。
5.根据权利要求1-4任一项所述的晶圆等离子清洗装置,其特征在于,每组支撑块(3)设有四个,所述支撑块(3)通过紧固件固定在所述电极板(2)上。
6.根据权利要求1所述的晶圆等离子清洗装置,其特征在于,所述电极板(2)与所述清洗腔体(1)的内侧壁之间通过绝缘条(5)相隔。
7.根据权利要求1所述的晶圆等离子清洗装置,其特征在于,所述电极板(2)的表面镀有非金属膜。
8.根据权利要求1-4、6、7任一项所述的晶圆等离子清洗装置,其特征在于,还包括:
第一条形导电板(21),竖直固定在所述清洗腔体(1)内,且与同种极性的所有电极板(2)连接;
第二条形导电板(22),竖直固定在所述清洗腔体(1)内,且与同种极性的所有电极板(2)相接,且第二条形导电板(22)与第一条形导电板(21)分别连接于不同极性的电极板(2)。
9.一种晶圆加工设备,其特征在于,包括:
主机台;
EFEM区(6),适于实现晶圆的自动上下料;
如权利要求1-8任一项所述的晶圆等离子清洗装置,其通过所述安装部(11)固定在所述EFEM区(6);
EFEM机械手(7),适于实现晶圆在主机台和清洗腔体(1)中的上下料。
10.根据权利要求9所述的晶圆加工设备,其特征在于,所述EFEM区(6)包括晶圆装载台,所述晶圆装载台与所述清洗腔体(1)的高度一致。
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