[发明专利]显示基板及其制造方法、显示装置在审
申请号: | 202111652634.1 | 申请日: | 2021-12-30 |
公开(公告)号: | CN114361220A | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 易宏;谷泉泳 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06F3/041 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 雷思鸣 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制造 方法 显示装置 | ||
本申请公开一种显示基板及其制造方法、显示装置,属于显示技术领域。显示基板包括衬底基板、显示走线、屏蔽结构以及触控走线。衬底基板包括显示区域和至少部分围绕显示区域的周边区域。显示走线位于周边区域中且至少部分围绕显示区域。屏蔽结构位于显示走线远离衬底基板的一侧。触控走线位于屏蔽结构远离衬底基板一侧。显示走线、屏蔽结构和触控走线这三者在衬底基板上的正投影至少部分重叠。本申请可以屏蔽显示走线中的显示信号与触控走线中的触控信号的相互干扰。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置。
背景技术
柔性多层结构(Flexible Multi-Layer On Cell,FMLOC)技术是指在显示基板的封装结构上制作触控结构的技术。触控结构通常包括触控电极和触控走线,触控走线用于向触控电极提供触控信号。由于显示基板中通常包括集成栅极驱动(gate on array,GOA)电路,GOA电路的输入走线、GOA电路的输出走线等显示走线中传输的显示信号容易与触控走线中传输的触控信号互相干扰,影响显示基板的触控效果和显示效果。因此,如何屏蔽显示信号与触控信号的互相干扰是亟需解决的问题。
发明内容
本申请提供一种显示基板及其制造方法、显示装置,能够屏蔽显示走线中传输的显示信号与触控走线中传输的触控信号的相互干扰。所述技术方案如下:
第一方面,提供一种显示基板,所述显示基板包括:
衬底基板,包括显示区域和至少部分围绕所述显示区域的周边区域;
显示走线,位于所述周边区域中且至少部分围绕所述显示区域;
屏蔽结构,位于所述显示走线远离所述衬底基板的一侧,所述屏蔽结构在所述衬底基板上的正投影位于所述周边区域中;
触控走线,位于所述屏蔽结构远离所述衬底基板一侧,所述触控走线在所述衬底基板上的正投影位于所述周边区域中且至少部分围绕所述显示区域;
其中,所述显示走线、所述屏蔽结构和所述触控走线这三者在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
可选的,所述显示区域包括第一边界,所述周边区域包括沿所述第一边界延伸的第一周边区域,所述屏蔽结构在所述衬底基板上的正投影位于所述第一周边区域中。
可选的,所述屏蔽结构包括第一屏蔽部和第二屏蔽部,所述第一屏蔽部和第二屏蔽部关于所述显示基板的第一截面对称,所述第一截面与所述第一边界垂直。
可选的,所述第一截面与所述衬底基板的交线平分所述第一边界。
可选的,所述显示区域还包括第二边界和第三边界,所述第二边界和所述第三边界分别与所述第一边界相交,所述第一屏蔽部在所述衬底基板上的正投影靠近所述第一边界与所述第二边界的相交位置,所述第二屏蔽部在所述衬底基板上的正投影靠近所述第一边界与所述第三边界的相交位置。
可选的,所述第一屏蔽部与所述第二屏蔽部之间的距离的范围为50毫米~60毫米。
可选的,所述显示基板还包括:负电源线,位于所述显示走线远离所述衬底基板的一侧,所述负电源线在所述衬底基板上的正投影位于所述周边区域中且至少部分围绕所述显示区域;所述屏蔽结构位于所述负电源线远离所述衬底基板的一侧,所述屏蔽结构与所述负电源线电连接,所述屏蔽结构在所述衬底基板上的正投影与所述负电源线在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
可选的,所述屏蔽结构与所述负电源线的重叠区域的宽度的范围为50微米~60微米,所述屏蔽结构与所述负电源线的重叠区域为所述屏蔽结构在所述衬底基板上的正投影与所述负电源线在所述衬底基板上的正投影的重叠区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的