[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 202111638272.0 | 申请日: | 2021-12-30 |
公开(公告)号: | CN114005888A | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 陈鹏;李晓强 | 申请(专利权)人: | 杭州晶宝新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/02;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 宋南 |
地址: | 310000 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法,涉及光伏技术领域。采用二氧化硅薄膜层/透明导电层/减反射层的叠层构成太阳电池的正表面膜系,提供一种新型的电池结构,利用二氧化硅来钝化硅表面的悬挂键,减少表面复合;同时电子通过隧穿进入到透明导电层。上述电池结构中的透明导电层要求是性能优越的电子选择性收集层、空穴排除层,从而降低光激发的电子、空穴在其中的复合几率,提升了载流子的收集效率。上述电池结构的优势在于同时实现正表面钝化、透光、电子传输的功能,可显著提升电池效率。
技术领域
本发明涉及光伏技术领域,具体而言,涉及一种太阳能电池及其制备方法。
背景技术
为了应对气候变化,低碳电力将在电力供应上占据越来越大的份额,而光伏是一种主要的清洁低碳的发电技术。当前高效太阳电池技术发展迅速,进入产业应用的太阳电池有多种,如双面钝化电池(PERC)、隧穿氧化层钝化接触电池(TOPCon)、异质结电池(HJT)等。与传统的铝背场电池(BSF)相比较,PERC电池在背表面沉积高效的氧化铝/氮化硅薄膜(Al2O3/SiNx),显著改善了背表面钝化,将光电转化效率从20%提升到23%以上。但是,PERC电池效率进一步的提升有诸多受限,比如说主要受限于金属电极与硅接触区复合、扩散发射极复合。
为此,TOPCon电池是基于氧化硅/掺杂多晶硅(SiO2/poly-Si)叠层实现对背表面的全面积钝化。SiO2层对硅表面实现极好的钝化效果,同时载流子通过超薄SiO2层隧穿导通,poly-Si层选择性收集电子,从而避免了背金属与硅的直接接触复合。通过业界的努力,TOPCon电池的量产转化效率提升到24.5%以上。
另一方面,HJT电池是基于本征非晶硅/掺杂非晶硅(a-Si(i)/a-Si(n+/p+))叠层实现全面积钝化,其中本征a-Si层实现对硅表面钝化,而掺杂的a-Si(n+/p+)实现载流子的选择性收集,同样避免了金属电极与硅的接触复合。目前,HJT电池也实现了24.5%以上的量产效率。
但是,上述两种电池也存在各自的劣势,例如TOPCon电池中的poly-Si层对入射光的吸收强烈,当前业界将其用在背表面,而不是正表面,但仍然造成较大的光损失。HJT电池更是如此,a-Si(i)/a-Si(n+/p+)叠层对光线吸收更加强烈,导致其光生电流密度偏低。另一方面,当前的TOPCon和HJT电池正背面两侧均使用银电极,比PERC的正银/背铝电极的成本显着增加。此外,TOPCon电池还涉及到成本昂贵的高温硼扩散工艺,进一步导致了制造成本的增加。
鉴于此,特提出本发明。
发明内容
本发明的目的在于提供一种太阳能电池及其制备方法,旨在提供一种新型的太阳能电池结构,兼具钝化优异、收集高效、光学高透的功能。
本发明是这样实现的:
第一方面,本发明提供一种太阳能电池,包括材质为p型硅晶体的电池基体,电池基体具有相对设置的正面和背面,表面经过刻蚀形成微结构后,在电池基体的正面上形成PN结,N区为n型发射极薄层;
在n型发射极薄层上依次设置有二氧化硅薄膜层、透明导电层和减反射层,在减反射层上设置有第一金属电极,第一金属电极穿过减反射层与透明导电层接触;
在电池基体的背面上设置有背面钝化层,背面钝化层上设置有第二金属电极,第二金属电极穿过背面钝化层与电池基体的背面接触;
透明导电层为n型掺杂的材料,且透明导电层选自掺杂的氧化锌、掺杂的氧化锡、掺杂的氧化铟和掺杂的氧化钛中的至少一种。
在可选的实施方式中,透明导电层的电阻率小于1×10-2Ω cm;
掺杂的氧化锌中至少含有掺杂元素硼、铝、镓和氢中的一种;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的