[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括材质为p型硅晶体的电池基体，所述电池基体具有相对设置的正面和背面，表面经过刻蚀形成微结构后，在所述电池基体的正面上形成PN结，N区为n型发射极薄层；

在所述n型发射极薄层上依次设置有二氧化硅薄膜层、透明导电层和减反射层，在所述减反射层上设置有第一金属电极，所述第一金属电极穿过所述减反射层与所述透明导电层接触；

在所述电池基体的背面上设置有背面钝化层，所述背面钝化层上设置有第二金属电极，所述第二金属电极穿过所述背面钝化层与所述电池基体的背面接触；

所述透明导电层为n型掺杂的材料，且所述透明导电层选自掺杂的氧化锌、掺杂的氧化锡、掺杂的氧化铟和掺杂的氧化钛中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述透明导电层的电阻率小于1×10^-2Ω cm；

所述掺杂的氧化锌中至少含有掺杂元素硼、铝、镓和氢中的一种；

所述掺杂的氧化锡中至少含有掺杂元素氟和锑中的一种；

所述掺杂的氧化铟中至少含有掺杂元素锡和钨中的一种；

所述掺杂的氧化钛中至少含有掺杂元素铌和钽中的一种。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述减反射层和所述背面钝化层的材质均选自氧化铝、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述n型发射极薄层的方块电阻为50-500Ω。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述电池基体的厚度为100-200um，所述二氧化硅薄膜层的厚度为1-5nm，所述透明导电层的厚度为10-500nm，所述减反射层的厚度为10-100nm。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一金属电极和所述第二金属电极的材质均选自银、铝、铜、镍、钛和锡中的至少一种。

7.一种权利要求1-6中任一项所述太阳能电池的制备方法，其特征在于，以p型硅晶体为电池基体，在所述电池基体表面形成PN结，在所述PN结的n型发射极薄层表面依次形成二氧化硅薄膜层、透明导电层和减反射层，在所述减反射层上形成第一金属电极，并使所述第一金属电极穿过所述减反射层与所述透明导电层接触；

在所述电池基体远离所述PN结的表面形成背面钝化层，在所述背面钝化层上形成第二金属电极，并使所述第二金属电极穿过所述背面钝化层与所述电池基体的背面接触。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述透明导电层完全覆盖或者局域覆盖所述二氧化硅薄膜层，局域覆盖的图形与所述第一金属电极的图形匹配，以使所述第一金属电极穿过所述减反射层与所述透明导电层接触；

所述透明导电层的形成方法选自溶液法、物理气相沉积和化学气相沉积中的至少一种；所述化学气相沉积的方法包括低压化学气相沉积、等离子体化学气相沉积和原子层沉积。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述二氧化硅薄膜层的形成方法选自高温热氧化、化学气相沉积、浓硝酸氧化和臭氧氧化中的一种。

10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在所述减反射层上印刷银浆料；去除电极区所对应的所述背面钝化层，并在所述背面钝化层上印刷铝浆料；通过烧结使所述银浆料中的玻璃料刻蚀所述减反射层与所述透明导电层形成接触，所述铝浆料与所述电池基体反应形成接触。