[发明专利]镀膜装置及载物机构

说明书

本申请公开了一种镀膜装置及载物机构，该载物机构包括：载板，包括用于放置待镀膜产品的承载面；阻挡机构，位于所述载板周侧，且所述阻挡机构和所述载板之间具有间隙；在垂直于所述承载面的方向上，所述间隙具有预设深度；在平行于所述承载面的方向上，所述间隙具有预设宽度；调节组件，位于所述间隙内，用于调节所述间隙的所述预设深度和/或所述预设宽度；所述调节组件与所述载板和/或所述阻挡机构相连接。本申请实施方式提供的镀膜装置及载物机构，能够改善镀膜装置的反应腔内的流场分布，从而提高镀膜均匀性。

技术领域

本申请涉及光伏/电子工业专用设备技术领域，特别是涉及一种镀膜装置及载物机构。

背景技术

本部分的描述仅提供与本说明书公开相关的背景信息，而不构成现有技术。

异质结是一种特殊的PN结，由非晶硅和晶体硅材料形成，是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，属于N型电池中的一种。异质结电池的工艺流程比比目前主流的PERC(PassivatedEmitter and Rear Cell，射极钝化及背电极)和TOPCON(Tunnel Oxide PassivatedContact，隧穿氧化层钝化接触)的工艺流程要少，只需要4步，即制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、导电膜沉积、丝网印刷电极。

其中，非晶硅薄膜主要采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，等离子体增强化学气相沉积法)来进行沉积。然而，现有技术中用于进行非晶硅薄膜沉积的镀膜设备的镀膜均匀性不佳。

应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本说明书的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本说明书的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

发明内容

本申请主要解决的技术问题是提供一种镀膜装置及载物机构，能够改善镀膜装置的反应腔内的流场分布，从而提高镀膜均匀性。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种载物机构，包括：

载板，包括用于放置待镀膜产品的承载面；

阻挡机构，位于所述载板周侧，且所述阻挡机构和所述载板之间具有间隙；在垂直于所述承载面的方向上，所述间隙具有预设深度；在平行于所述承载面的方向上，所述间隙具有预设宽度；

调节组件，位于所述间隙内，用于调节所述间隙的所述预设深度和/或所述预设宽度；所述调节组件与所述载板和/或所述阻挡机构相连接。

进一步地，所述调节组件包括多个第一垫板，所述第一垫板与所述载板或所述阻挡机构相连接，所述第一垫板能使所述间隙的所述预设宽度按预定规则变化。

进一步地，在所述第一垫板与所述载板或所述阻挡机构的连接处的延伸方向上，所述第一垫板使所述间隙的所述预设宽度先减小再增大。

进一步地，所述调节组件面对所述间隙的一面为凸面。

进一步地，所述第一垫板与所述载板相连接，所述第一垫板远离所述载板的一侧为向远离所述载板的一侧弯曲的弧形壁面。

进一步地，所述第一垫板与所述阻挡机构相连接，所述第一垫板靠近所述载板的一侧为向靠近所述载板的一侧弯曲的弧形壁面。

进一步地，在所述弧形壁面与所述载板或所述阻挡机构的连接处的延伸方向上，所述弧形壁面的弧度变化率先减小再增大。

进一步地，所述调节组件包括多个第二垫板，所述第二垫板与所述载板或所述阻挡机构相连接，所述第二垫板能使所述间隙的所述预设深度按预定规则变化。

进一步地，在所述第二垫板与所述载板或所述阻挡机构的连接处的延伸方向上，所述第二垫板使所述间隙的所述预设深度先增大再减小。