[发明专利]一种超低温晶圆注入工艺及注入平台

权利要求书

1.一种超低温晶圆注入工艺，其特征在于，其用于使用超低温晶圆注入平台在超低温真空环境下对晶圆进行离子注入，其包括以下步骤：

步骤S1，晶圆装载步骤

步骤S2，抽真空步骤；

步骤S3，待处理的晶圆转送步骤；

步骤S4，晶圆冷却步骤；

步骤S5，晶圆离子注入步骤；

步骤S6，晶圆升温步骤；

步骤S7，晶圆回送步骤；

步骤S8，晶圆卸载步骤；

步骤S9，晶圆产品标记入库步骤。

2.根据权利要求1所述的超低温晶圆注入工艺，其特征在于，步骤S1的晶圆装载步骤中，将承载有晶圆的晶圆传送盒放置于前端晶圆传送模块中的容纳台上，前端晶圆传送模块中的机械手抓取一片或多片晶圆依次将一片或多片晶圆传送至装载模块的装载平台(11)，直至将容纳台上的晶圆全部传送至装载模块的装载平台(11)。

3.根据权利要求2所述的超低温晶圆注入工艺，其特征在于，步骤S2的抽真空步骤中，将前端晶圆传送模块和装载模块之间的门阀关闭，对装载模块的腔室进行抽真空，使其中的气压降至与真空传送模块接近的高真空度。

4.根据权利要求3所述的超低温晶圆注入工艺，其特征在于，步骤S3的待处理的晶圆转送步骤中，装载模块和真空传送模块之间的闸板阀打开，前真空传送机械手(21)抓取晶圆并将其传送至对准平台(22)，对准平台(22)对晶圆的角度位置进行校准。

5.根据权利要求4所述的超低温晶圆注入工艺，其特征在于，步骤S4的晶圆冷却步骤中，后真空传送机械手23抓取校准后的晶圆并将其传送至真空冷却平台(31)，使晶圆温度降低至所需的超低温。

6.根据权利要求5所述的超低温晶圆注入工艺，其特征在于，步骤S5的晶圆离子注入步骤中，后真空传送机械手23抓取冷却后的晶圆并将其传送至晶圆注入承载盘(42)，通过晶圆扫描机械手(41)将晶圆翻转、移动，来回横穿离子束，完成离子的注入。

7.根据权利要求6所述的超低温晶圆注入工艺，其特征在于，步骤S6的晶圆升温步骤中，前真空传送机械手(21)抓取步骤S5中加工之后的晶圆并将其传送至真空升温平台(51)，使晶圆温度升高至室温附近；

步骤S7的晶圆回送步骤中，前真空传送机械手(21)抓取晶圆并将其传送至装载平台(11)。

8.根据权利要求7所述的超低温晶圆注入工艺，其特征在于，步骤S8的晶圆卸载步骤中，装载模块和真空传送模块之间的闸板阀关闭，将装载模块腔室的气压升高至约一个大气压，装载模块和前端晶圆传送模块之间的门阀打开，前端晶圆传送模块中的机械手将晶圆传送至晶圆传送盒。

9.根据权利要求8所述的超低温晶圆注入工艺，其特征在于，步骤S9的晶圆产品标记入库步骤中，将步骤S8中传送卸载过来的晶圆进行标识，并按照一定入库规则，整理入库。

10.一种使用上述权利要求1-9之任一超低温晶圆注入工艺的超低温晶圆注入平台，其特征在于，所述超低温晶圆注入平台至少包括前端晶圆传送模块、装载模块、真空传送模块、真空冷却模块、真空注入模块和真空升温模块，前端晶圆传送模块、装载模块、真空传送模块、真空冷却模块、真空注入模块和真空升温模块相互配合且形成一个有机整体，该有机整体实现超低温晶圆离子注入；前端晶圆传送模块、装载模块、真空传送模块、真空冷却模块、真空注入模块和真空升温模块均单独设有对应结构的腔室；在晶圆离子注入过程中，真空传送模块、真空冷却模块和真空注入模块形成一个超低温工作环境，并实现晶圆在超低温环境下的加工和传送。