[发明专利]防翘曲微显示面板、微显示装置及其制造方法

说明书

本申请公开了一种防翘曲微显示面板、微显示装置及其制造方法。微显示面板包括：衬底，所述的衬底为无机材料衬底；若干个阵列排布的发光元件；应力释放层，形成于所述的衬底和发光元件表面；若干金属接触电极，与所述的发光元件表面电学互联；金属布线层，形成于所述的应力释放层之上；平坦化层，所述的平坦化层选用无机绝缘材料制作而成；所述的应力释放层位于所述的衬底与所述的平坦化层之间，且该应力释放层选用有机材料制作而成，并能够发生弹性变形。本申请通过优化微显示面板的膜层结构，降低了基板翘曲度，可提高wafer to wafer的良率。

技术领域

本发明属于半导体微显示技术领域，特别涉及一种微显示面板、显示装置及制造该显示装置的方法。

背景技术

Micro-LED技术是最新一代的半导体显示技术，近年来得到了广泛的研究。其中，Micro-LED发光芯片与驱动芯片相结合的工艺难点是阻碍其商业化的主要问题，现有的技术方案包括巨量转移、激光转移、静电转移、电磁转移、流体自组装等。上述技术方案都存在单工步良率低、时间长的问题。在小尺寸头戴式AR/VR所需的显示设备中，显示尺寸较小的大约≤0.5寸，因此采用晶圆键合方案（wafer to wafer）具有良率高、时间短的优势。但在6寸、 8寸及以上尺寸的显示面板wafer to wafer的工艺中，对原料晶圆基板的规格要求较高，如翘曲度≤30微米。因此，在现有工艺条件下，基板的翘曲度直接影响着Micro-LED的键合良率，参见图1、2。

发明内容

本申请的目的在于解决现有技术中晶圆基板内部应力大，翘曲明显的问题。

为了实现上述发明的目的，本发明采用如下技术方案：

第一方面，本申请提供一种防翘曲微显示面板，包括

衬底，所述的衬底为无机材料衬底；

若干个阵列排布的发光元件；

应力释放层，形成于所述的衬底和发光元件表面；

若干金属接触电极，与所述的发光元件表面电学互联；

金属布线层，形成于所述的应力释放层之上；

平坦化层，所述的平坦化层选用无机绝缘材料制作而成；

所述的应力释放层位于所述的衬底与所述的平坦化层之间，并能够发生弹性变形。

在本申请的一个实施例中，所述的应力释放层材料选用有机光敏胶材料或者SiO₂膜材料或SiN膜材料制成。

在本申请的一个实施例中，所述的衬底为硅衬底、碳化硅衬底、蓝宝石衬底或氮化镓衬底中的任意一种。

在本申请的一个实施例中，所述的应力释放层的厚度为100-20000。

在本申请的一个实施例中，所述的平坦化层的材料选用SiO₂、SiN中的任意一种。

第二方面，本申请提供一种微显示装置，包括形成电学互联的显示芯片和驱动芯片，所述的显示芯片包括若干个阵列排布的发光元件、形成在所述的发光元件上的应力释放层、形成在所述的应力释放层上的金属布线层以及若干与所述的发光元件电连接的金属接触电极、平坦化层，其中所述的应力释放层为能够发生弹性变形的材料制作而成，所述的平坦化层选用无机绝缘材料制作而成。

第三方面，本申请提供一种微显示面板的制造方法，包括下述步骤，

（1）提供一第一晶圆，所述的第一晶圆上具有复数个所述的微显示面板；

（2）提供一第二晶圆，所述的第二晶圆上具有复数个驱动电路，复数个所述的微显示面板与复数个所述的驱动电路一一对应；

（3）将所述的第一晶圆与第二晶圆对准后键合；

（4）去除所述的微显示面板的衬底；

（5）切割、封装。

本申请通过优化微显示面板的膜层结构，可降低基板翘曲度，提高wafer towafer的良率。