[发明专利]彩色Microled

说明书

本发明涉及一种彩色Microled，其包括衬底层、驱动芯片、第一发光层、金属接触电极和第二发光层，多个驱动芯片设置在衬底层上，第一发光层设置在驱动芯片的上方，且第一发光层中的第一发光芯片与衬底层上对应的驱动芯片相连接，第二发光层设置在第一发光层的上方，且第二发光层中的第二发光芯片通过金属接触电极与衬底层上对应的驱动芯片连接，所述第一发光层内的第一发光芯片与第二发光层内的第二发光芯片背对背设置，且第一发光芯片与第二发光芯片的颜色不同。本发明的Microled，设计了第一发光芯片和第二发光芯片两种发光芯片，两种发光芯片发出两种不同颜色的原色光，通过色光的混合能产生出彩色效果，本发明采用背靠背键合技术，简化了Microled的彩色化工艺。

技术领域

本发明涉及一种彩色Microled设计制造领域，具体涉及一种彩色Microled。

背景技术

MicroLED显示技术是指以自发光的微米量级的LED为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示技术。由于micro LED芯片尺寸小、集成度高和自发光等特点, 在显示方面与 LCD、OLED相比在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势。

随着Microled市场的兴起，Microled技术得到了广泛的研究。其中，Microled发光芯片与驱动芯片相结合的工艺难点是阻碍其商业化的主要问题。现有的Microled发光芯片与驱动芯片相结合的工艺包括Stamp巨量转移、激光转移、静电转移、电磁转移、流体自组装等。上述技术方案都存在单工步良率低、时间长的问题。

目前，在小尺寸头戴式AR/VR上所需的显示尺寸较小，大约≤0.5寸，采用wafer towafer键合方案具有良率高、时间短的优势。但是wafer to wafer方案中，彩色化一直没有很好的解决方案，严重限制了该技术的实际应用。

因而，需要对wafer to wafer方案进行进一步的改进，实现MicroLED的彩色化方案。

发明内容

本发明的目的在于针对背景技术中所述的MicroLED采用wafer to wafer方案，无法实现彩色化的问题，提供一种能解决前述问题的彩色Microled。

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种彩色Microled，其包括衬底层、驱动芯片、第一发光层、第一透明绝缘层、金属接触电极和第二发光层，多个驱动芯片设置在衬底层上，第一发光层设置在驱动芯片的上方，且第一发光层中的第一发光芯片与衬底层上对应的驱动芯片相连接，第一透明绝缘层设置在第一发光层上方，第二发光层设置在第一透明绝缘层的上方，且第二发光层中的第二发光芯片通过金属接触电极与衬底层上对应的驱动芯片连接，所述第一发光层内的第一发光芯片与第二发光层内的第二发光芯片背对背设置。

作为上述的彩色Microled的进一步改进，所述的驱动芯片嵌入式设置在衬底层的上侧面上，且驱动芯片的上表面与第一发光芯片或金属接触电极相接触且电连接。

作为上述的彩色Microled的进一步改进，所述的第一发光层包括第一透明绝缘层、第二透明绝缘层和第一发光芯片，第一发光芯片嵌入式设置在第一透明绝缘层的下侧面上，且第一发光芯片的底面与驱动芯片相接触，且电连接，在第一透明绝缘层内位于第一发光芯片的上方设有第一凹槽，第一凹槽的底部与第一发光芯片的上表面相对应，所述的第二透明绝缘层设置在第一透明绝缘层的上方，且第二透明绝缘层上设有与第一凹槽对应的凸起，凸起的形状与第一凹槽的形状相对应。