[发明专利]彩色Microled在审
| 申请号: | 202111590281.7 | 申请日: | 2021-12-23 |
| 公开(公告)号: | CN114335057A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
| 发明(设计)人: | 岳大川 | 申请(专利权)人: | 季华实验室 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62 |
| 代理公司: | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人: | 田媛 |
| 地址: | 528000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 彩色 microled | ||
1.一种彩色Microled,其特征在于:其包括衬底层、驱动芯片、第一发光层、金属接触电极和第二发光层,多个驱动芯片设置在衬底层上,第一发光层设置在驱动芯片的上方,且第一发光层中的第一发光芯片与衬底层上对应的驱动芯片相连接,第二发光层设置在第一发光层的上方,且第二发光层中的第二发光芯片通过金属接触电极与衬底层上对应的驱动芯片连接,所述第一发光层内的第一发光芯片与第二发光层内的第二发光芯片背对背设置,且第一发光芯片与第二发光芯片的颜色不同。
2.根据权利要求1所述的彩色Microled,其特征在于:所述的驱动芯片嵌入式设置在衬底层的上侧面上,且驱动芯片的上表面与第一发光芯片或金属接触电极相接触且电连接。
3.根据权利要求1所述的彩色Microled,其特征在于:所述的第一发光层包括第一透明绝缘层、第二透明绝缘层和第一发光芯片,第一发光芯片嵌入式设置在第一透明绝缘层的下侧面上,且第一发光芯片的底面与驱动芯片相接触,且电连接,在第一透明绝缘层内位于第一发光芯片的上方设有第一凹槽,第一凹槽的底部与第一发光芯片的上表面相对应,所述的第二透明绝缘层设置在第一透明绝缘层的上方,且第二透明绝缘层上设有与第一凹槽对应的凸起,凸起的形状与第一凹槽的形状相对应。
4.根据权利要求1所述的彩色Microled,其特征在于:所述的第二发光层包括第三透明绝缘层、第四透明绝缘层和第二发光芯片,第二发光芯片嵌入式设置在第四透明绝缘层的上侧面上,第二发光芯片的上表面通过导线与金属接触电极的上端部电连接,在第四透明绝缘层内位于第二发光芯片的下方设有第二凹槽,第二凹槽的底部与第二发光芯片的下表面相对应,所述的第三透明绝缘层设置在第四透明绝缘层的下方,且第三透明绝缘层上设有与第二凹槽对应的凸起,凸起的形状与第二凹槽的形状相对应。
5.根据权利要求1所述的彩色Microled,其特征在于:所述的第一发光芯片和第二发光芯片均为圆台形,且第一发光芯片的直径较大的一侧圆形面向下设置,第二发光芯片的直径较小的一侧圆形面向下设置。
6.根据权利要求1所述的彩色Microled,其特征在于:所述的金属接触电极包括第一金属接触电极和第二金属接触电极,第一金属接触电极设置在第一发光层内,第二金属接触电极穿过第二发光层与第一金属接触电极键合。
7.根据权利要求6所述的彩色Microled,其特征在于:所述的第一金属接触电极和第二金属接触电极均为圆台形,第一金属接触电极的直径较大的一侧圆形面向下设置,且第一接触电极直径较大的一侧圆形面与驱动芯片的上表面大小相适应,第二金属接触电极的直径较小的一侧圆形面向下设置,且第二金属接触电极的直径较小的一侧圆形面与第一金属电极直径较小的一侧圆形面大小相适应,二者相接触,且电连接,第二金属接触电极的上端部延伸至第二发光层的上表面上方,并通过导线与第二发光芯片电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





